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parte #	Descripción	fabricante
Alto voltaje octal de ULN2803AFWG, transistor de gran intensidad de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet	Soporte superficial bipolar 18-SOP del arsenal 8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA 1.31W del transistor	Fabricante
Acoplador óptico de varios canales del transistor del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de CNY74-4H con salida del fototransistor	Optoaislador Salida transistor 5300Vrms 4 canales 16-DIP	Fabricante
ZXMN10A09KTC AUMENTO de alto voltaje del CANAL N 100V del mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia	Soporte TO-252-3 de la superficie 2.15W (TA) del canal N 100 V 5A (TA)	Fabricante
El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet	GAVIOTA del Mosfet TO-270-2 del RF	Fabricante
S9012 TO-92 Plástico-encapsulan el mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de los transistores	Transistor bipolar (BJT) PNP 25 V 500 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW	Fabricante
CANAL N 60V - 0.07ohm de STN3NF06L - transistor del Mosfet del poder⑩ del MOSFET del PODER de 4A SOT-223 STripFET II	Soporte SOT-223 de la superficie 3.3W (Tc) del canal N 60 V 4A (Tc)	Fabricante
TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 \| MOSFET \| CANAL N \| TO-252AA	Soporte DPAK de la superficie 70W (Tc) del canal N 600 V 4A (Tc)	Fabricante
SI4436DY-T1-E3 mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del canal N que cambia 60-V (D-S)	Canal N 60 V 8A (Tc) 2.5W (TA), soporte 8-SOIC de la superficie 5W (Tc)	Fabricante
Proveedor de oro de China IC de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de ISL9V3040D3S	Soporte superficial TO-252AA de IGBT 430 V 21 A 150 W	Fabricante
Fabricantes de chip CI TRANSITORIOS PORTUARIOS de los componentes de USB SUPPERSSORS ic de SN75240PWR		Fabricante
TIP127 mosfet dual del poder del mosfet del poder de alto voltaje del silicio PNP DarliCM GROUPon Power Transistors	Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220	Fabricante
SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja del MOSFET del canal N 30-V (D-S)	N-Channel 30 V 30A (Ta) 5.4W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Fabricante
Transistor fotovoltaico del Mosfet del poder de la retransmisión del MOSFET del poder de PVT312L del poder microelectrónico de IC	SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 6-DIP (0,300", 7.62m m)	Fabricante
TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)	Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 300 mW	Fabricante
Silicio plástico PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BD682G	Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W a través del agujero TO-126	Fabricante
NTR1P02LT1G accionan MOSFET -20 V, -1,3 A, mosfet de alto voltaje del poder del paquete del P-canal SOT-23		Fabricante
Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B	Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 500 mW a través del agujero TO-92	Fabricante
Transistores complementarios del MOS del modo del aumento PHC21025 que cambian el mosfet del poder	Mosfet Array	Fabricante
Mosfet del poder VCEsat del transistor bajo de PBSS4320T que cambia 20 V NPN	Transistor bipolar (BJT) NPN 20 V 2 un 100MHz soporte superficial TO-236AB de 540 mW	Fabricante
PBSS5320T, 215 20 V, 3 un mosfet audio del poder VCEsat (BISS) del transistor bajo de PNP	Transistor bipolar (BJT) PNP 20 V 2 un 100MHz soporte superficial TO-236AB de 540 mW	Fabricante
Semiconductor integrado electrónico del tablero de microprocesador del SENSOR RESISTENTE del MAGNETO de los 2SS52M	Colector abierto TO-92-3 magnetoresistente del interruptor de Omnipolar del interruptor de Digitaces	Fabricante
N - ¿Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G del Mosfet del poder más elevado del rf del ohmio	Soporte DPAK de la superficie 83W (Tc) del canal N 600 V 4.1A (Tc)	Fabricante
Transistor planar complementario del silicio NPN RF de los circuitos integrados de la electrónica de BFQ67W SOT-23	Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW del RF	Fabricante
Tiempo continuo Hall Effect Sensors linear radiométrico del transistor del Mosfet del poder de A1302KUA	Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP	Fabricante
Transistores de alto voltaje del mosfet del poder de MMBTA43LT1G, transistores del mosfet del poder del rf	Transistor bipolar (BJT) NPN 200 V 50 mA 50MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 225 mW	Fabricante
Transistores del mosfet del poder más elevado de MMBT4403LT1G que cambian, transistores de poder del silicio de PNP	Transistor bipolar (BJT) PNP 40 V 600 mA 200MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW	Fabricante
Poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de MMBT4401LT1G que cambia paladio de 225 mW	Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 600 mA 250MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW	Fabricante
Transistores de poder complementarios del mosfet del poder dual de alto voltaje de MJD42CG	Transistor bipolar (BJT) PNP 100 V 6 un soporte superficial 1,75 de 3MHz W DPAK	Fabricante
Mosfet complementario dual de alto voltaje del poder de MJD41CT4G para el amplificador de fines generales	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK	Fabricante
Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor de efecto de campo del modo del aumento del P-canal que cambia AO4449	Soporte 8-SOIC de la superficie 3.1W (TA) del P-canal 30 V 7A (TA)	Fabricante
Electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor del Mosfet del poder de IRLR2905TRPBF TO-252	Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 55 V 42A (Tc)	Fabricante
Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria	Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 un soporte superficial DPAK de 25MHz 20 W	Fabricante
Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N	Soporte SOT-23-3 de la superficie 300mW (TA) del canal N 60 V 500mA (TA)	Fabricante
Tiristores de alto voltaje del mosfet del poder del mosfet de la energía baja de los rectificadores controlados de silicio MCR100-6	SCR 0.8A 400V TO92 del TIRISTOR	Fabricante
Los triac MAC97A6 accionan el AMPERIO RMS del transistor 0,8 del Mosfet 200 - 600 VOLTIOS	Lógica del TRIAC - puerta sensible 400 V 600 mA a través del agujero TO-92 (TO-226)	Fabricante
Semiconductor integrado de los TRANSISTORES de BC807-40 SOT-23 del amplificador de fines generales BIPOLAR del TRANSISTOR (PNP) PNP	Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW	Fabricante
Triac sensibles de Alternistor del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac del mosfet ic del poder Q6012LH5	TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A a través del agujero TO-220 aisló la etiqueta	Fabricante
BFG541 NPN transistores del mosfet del poder del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado del transistor de la banda ancha de 9 gigahertz	Soporte superficial SC-73 del transistor NPN 15V 120mA 9GHz 650mW del RF	Fabricante
MOSFET de PowerTrench del P-canal del transistor 30V del Mosfet del poder del mosfet del poder del foso de SI4435DY	Soporte 8-SOIC de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 8.8A (TA)	Fabricante
BD912 TO-220 - mosfet ic del poder del módulo del mosfet del poder de los transistores y de DarliCM GROUPons de poder	Transistor bipolar (BJT) PNP 100 V 15 un 3MHz 90 W a través del agujero TO-220	Fabricante
BD136 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de los transistores de poder del silicio PNP	Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1,5 A W 1,25 a través del agujero SOT-32-3	Fabricante
PEQUEÑO mosfet SUPERFICIAL ic del poder del módulo del mosfet del poder del TRANSISTOR del SOPORTE de la SEÑAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED	Transistor bipolar prepolarizado (BJT) NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montaje en sup	Fabricante
Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC807-25	Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW	Fabricante
Transistores del mosfet del poder más elevado del MOSFET del poder de IRLML2402TRPBF HEXFETÂ®	Soporte Micro3™/SOT-23 de la superficie 540mW (TA) del canal N 20 V 1.2A (TA)	Fabricante
Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder IRFR9214	Soporte D-Pak de la superficie 50W (Tc) del P-canal 250 V 2.7A (Tc)	Fabricante
MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4	IGBT 600 V 25 A 80 W Montaje en superficie D2PAK	Fabricante
Se doblan los transistores de poder más elevado del MOSFET del foso del poder de 30 voltios FDS4935BZ	Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC	Fabricante
mosfet FDS9945 del poder del MOSFET del foso del poder del canal N que cambia 60V	Soporte superficial 8-SOIC del arsenal 60V 3.5A 1W del Mosfet	Fabricante
Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de MJE15032G MJE15033G	Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 8 un 30MHz 50 W a través del agujero TO-220	Fabricante
La salida del fototransistor del transistor del Mosfet del poder del acoplador óptico de SFH6206-2T, CA entró la placa de circuito Ic	El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 1 el canal 4-SMD	Fabricante

57 58 59 60 61

Chip CI de memoria Flash

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Unidad de microcontrolador MCU

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Módulo de potencia IGBT

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C5750X5R0J107M280KA SMD Ferrite Bead SMD CAP IC original Electrónica China proveedor de IC

30R250UU POLYFUSE® PTC reestablecibles de circuito integrado de semiconductores de circuito de silicio

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IRFB11N50APBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

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VO1400AEFTR Transistor de efecto de campo nuevo y original

IRFB23N20DPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

VS-60CPQ150PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

Alto voltaje octal de ULN2803AFWG, transistor de gran intensidad de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet

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ZXMN10A09KTC AUMENTO de alto voltaje del CANAL N 100V del mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia

El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet

S9012 TO-92 Plástico-encapsulan el mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de los transistores

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TRANSISTOR del transistor del Mosfet del poder del módulo del mosfet del poder STD4NK60ZT4 | MOSFET | CANAL N | TO-252AA

SI4436DY-T1-E3 mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del canal N que cambia 60-V (D-S)

Proveedor de oro de China IC de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de ISL9V3040D3S

Fabricantes de chip CI TRANSITORIOS PORTUARIOS de los componentes de USB SUPPERSSORS ic de SN75240PWR

TIP127 mosfet dual del poder del mosfet del poder de alto voltaje del silicio PNP DarliCM GROUPon Power Transistors

SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja del MOSFET del canal N 30-V (D-S)

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TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)

Silicio plástico PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BD682G

NTR1P02LT1G accionan MOSFET -20 V, -1,3 A, mosfet de alto voltaje del poder del paquete del P-canal SOT-23

Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B

Transistores complementarios del MOS del modo del aumento PHC21025 que cambian el mosfet del poder

Mosfet del poder VCEsat del transistor bajo de PBSS4320T que cambia 20 V NPN

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N - ¿Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G del Mosfet del poder más elevado del rf del ohmio

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Tiempo continuo Hall Effect Sensors linear radiométrico del transistor del Mosfet del poder de A1302KUA

Transistores de alto voltaje del mosfet del poder de MMBTA43LT1G, transistores del mosfet del poder del rf

Transistores del mosfet del poder más elevado de MMBT4403LT1G que cambian, transistores de poder del silicio de PNP

Poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de MMBT4401LT1G que cambia paladio de 225 mW

Transistores de poder complementarios del mosfet del poder dual de alto voltaje de MJD42CG

Mosfet complementario dual de alto voltaje del poder de MJD41CT4G para el amplificador de fines generales

Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor de efecto de campo del modo del aumento del P-canal que cambia AO4449

Electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor del Mosfet del poder de IRLR2905TRPBF TO-252

Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria

Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Tiristores de alto voltaje del mosfet del poder del mosfet de la energía baja de los rectificadores controlados de silicio MCR100-6

Los triac MAC97A6 accionan el AMPERIO RMS del transistor 0,8 del Mosfet 200 - 600 VOLTIOS

Semiconductor integrado de los TRANSISTORES de BC807-40 SOT-23 del amplificador de fines generales BIPOLAR del TRANSISTOR (PNP) PNP

Triac sensibles de Alternistor del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac del mosfet ic del poder Q6012LH5

BFG541 NPN transistores del mosfet del poder del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado del transistor de la banda ancha de 9 gigahertz

MOSFET de PowerTrench del P-canal del transistor 30V del Mosfet del poder del mosfet del poder del foso de SI4435DY

BD912 TO-220 - mosfet ic del poder del módulo del mosfet del poder de los transistores y de DarliCM GROUPons de poder

BD136 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de los transistores de poder del silicio PNP

PEQUEÑO mosfet SUPERFICIAL ic del poder del módulo del mosfet del poder del TRANSISTOR del SOPORTE de la SEÑAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC807-25

Transistores del mosfet del poder más elevado del MOSFET del poder de IRLML2402TRPBF HEXFETÂ®

Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder IRFR9214