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Mosfet complementario dual de alto voltaje del poder de MJD41CT4G para el amplificador de fines generales

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VCEO:
100 VCC
BCV:
100 VCC
VEB:
5 ADC
IB:
2 ADC
Paladio:
20 vatios
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Mosfet complementario dual de alto voltaje del poder de MJD41CT4G para el amplificador de fines generales




DPAK para los usos superficiales del soporte

Diseñado para el amplificador de fines generales y de poca velocidad

usos que cambian.




Características
• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en las fundas plásticas (ningún sufijo)
• Versión recta de la ventaja en las fundas plásticas (“1" sufijo)
• Eléctricamente similar a la serie popular TIP41 y TIP42
• Construcción monolítica con los resistores bajos del emisor del − de Built−in
• UL de epoxy 94 V−0 @ 0,125 de las reuniones adentro
• Grados del ESD: Modelo del cuerpo humano, modelo de máquina de 3B 8000 V, C 400 V
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

LISTA COMÚN


M30620FCAFP3750RENESAS16+QFP
BT148W-600R1000014+TO220
MAX4312EEE+T3600MÁXIMA14+QSOP
LTC1967CMS81628LINEAR15+MSOP
PM200CLA120100MITSUBISH05+MOUDLE
MAX5160MEUA14950MÁXIMA16+MSOP
P89C51RC+JB1140PHILIPS15+QFP
MC68CK16Z1CAG163682FREESCALE15+QFP
PBY201209T-601Y-S20000YAGEO16+SMD
PACDN046M10620CMD16+MSOP8
XQ18V04VQ44N890XILINX14+QFP44
MAX17126BETM6650MÁXIMA15+QFN
CY20AAJ-8F500MIT10+SOP-8
LME49720MA2428NSC14+SOP-8
BL05A888EN12+SOP-8
BT48302322AUGE15+CREMALLERA
BLF27811212+SOT-262
M51996AFP3334RENESAS16+COMPENSACIÓN
M25PE20-VMN6TP4331ST16+COMPENSACIÓN
MB81F643242B-10FN6418FUJI15+TSSOP
MPC5200CVR400B588FREESCALE14+BGA
XC2C64A-7VQG44I200XILINX14+VQFP44
XC6SLX100-3CSG484I100XILINX15+BGA
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