Mosfet complementario dual de alto voltaje del poder de MJD41CT4G para el amplificador de fines generales
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Mosfet complementario dual de alto voltaje del poder de MJD41CT4G para el amplificador de fines generales
DPAK para los usos superficiales del soporte
Diseñado para el amplificador de fines generales y de poca velocidad
usos que cambian.
Características
• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en las fundas plásticas (ningún sufijo)
• Versión recta de la ventaja en las fundas plásticas (“1" sufijo)
• Eléctricamente similar a la serie popular TIP41 y TIP42
• Construcción monolítica con los resistores bajos del emisor del − de Built−in
• UL de epoxy 94 V−0 @ 0,125 de las reuniones adentro
• Grados del ESD: Modelo del cuerpo humano, modelo de máquina de 3B 8000 V, C 400 V
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles
CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
LISTA COMÚN
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MÁXIMA | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEAR | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MÁXIMA | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MÁXIMA | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | EN | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | AUGE | 15+ | CREMALLERA |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | COMPENSACIÓN |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | ST | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |

