NTR1P02LT1G accionan MOSFET -20 V, -1,3 A, mosfet de alto voltaje del poder del paquete del P-canal SOT-23
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MOSFET −20 V, −1.3 A, paquete del poder de P−Channel SOT−23
Estos MOSFETs superficiales miniatura RDS bajo del soporte (encendido) aseguran apagón mínimo y conservar la energía, haciendo estos dispositivos ideales para el uso en conjunto de circuitos sensible de la gestión del poder del espacio. Los usos típicos son convertidores del dc−dc y gestión del poder en productos portátiles y battery−powered tales como ordenadores, impresoras, tarjetas de PCMCIA, celular y los teléfonos inalámbricos.
Características
• El RDS bajo (encendido) proporciona una eficacia más alta y amplía vida de batería
• El paquete superficial miniatura del soporte SOT−23 ahorra el espacio del tablero
• El paquete de Pb−Free está disponible
Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.
LISTA COMÚN
6CWQ10FN | 1200 | IR | 13+ | TO-252 |
IRF840B | 1500 | FSC | 13+ | TO-220 |
AT24C512N-10SU-2.7 | 2300 | ATMEL | 15+ | COMPENSACIÓN |
ISL1557IRZ | 2012 | INTERSIL | 14+ | QFN16 |
PCA9513ADP | 12060 | 16+ | MSOP | |
MAX3221EUE | 10250 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
DG212CJ | 8580 | MÁXIMA | 13+ | INMERSIÓN |
ALC888S-GR | 1600 | REALTEK | 15+ | QFP |
CPC5710NTR | 4025 | CLARE | 16+ | SOP-8 |
BCX69-16 | 6000 | INF | 15+ | SOT-23 |
AD596AH | 2450 | ANUNCIO | 14+ | PODER |
MCP6546T-I/OT | 5524 | MICROCHIP | 16+ | SOT23-5 |
NCP5392TMNR2G | 13280 | EN | 16+ | QFN |
P89V51RD2BN | 6686 | 14+ | INMERSIÓN | |
ACS712ELCTR-05B | 2450 | ALLEGRO | 15+ | SOP-8 |
LAN9220-ABZJ | 2388 | SMSC | 15+ | QFN-56 |
LA4282 | 3180 | SANYO | 15+ | ZIP12 |
LM7805 | 10000 | UTC | 15+ | TO-220 |
ISL6545CBZ | 5412 | INTERSIL | 14+ | SOP-8 |
A6252M | 6612 | SANKEN | 12+ | DIP-8 |
A6252M | 2230 | SANKEN | 15+ | DIP-8 |
EP2C8F256C6N | 2220 | ALTERA | 15+ | BGA |
MD2202-D16 | 5848 | M-SYSTEMS | 14+ | INMERSIÓN |
M66005-0001AFP | 3126 | RENESAS | 14+ | SSOP |
MD2202-D08 | 5842 | M-SYSTEMS | 15+ | INMERSIÓN |
CS30-16IO1 | 1675 | IXYS | 15+ | TO-247 |
PCM1704U | 133 | TI | 14+ | COMPENSACIÓN |
CD74HC4053M96 | 5825 | TI | 14+ | SOP-16 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
