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Hogar > productos > chips CI electrónicos > MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4

MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4

MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4
MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4
MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4
MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4
fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT 600 V 25 A 80 W Montaje en superficie D2PAK
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
voltaje del Colector-emisor:
600 V
Voltaje del Emisor-colector:
20 V
voltaje del Puerta-emisor:
±20 V
Corriente de colector (pulsada):
50 A
Corriente delantera del RMS del diodo en TC = 25°C:
20 A
Temperatura de almacenamiento:
– °C 55 a 150
Temperatura de empalme de funcionamiento:
– °C 55 a 150
Disipación total en TC = 25°C:
80 W
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
DS1245Y-100 1002 DALLAS 15+ TO-92
DS1990A-F5 1002 MÁXIMA 16+ PODER
ICL7135CPIZ 1002 INTERSIL 16+ INMERSIÓN
IRFP150NPBF 5000 IR 14+ TO-247
IRFP260NPBF 5000 IR 14+ TO-247
K847P 1002 VISHAY 14+ DIP16
LM301AN 1002 NS 16+ DIP8
LM35DT 1002 NS 16+ TO-220
MC34074AP 1002 EN 13+ DIP14
TC962CPA 1002 MICROCHIP 15+ DIP8
VB125ASP 1002 STM 16+ SOP-10
LT1084CT-12 1005 LT 16+ TO220
XC2C64A-7VQG44C 1005 XILINX 14+ QFP44
30344 560 BOSCH 14+ QFP
AT93C66A-10SQ-2.7 1008 ATMEL 14+ SOP8
NCP1200AP40 1008 EN 16+ DIP8
PCA82C250T/N4,118 3000 16+ SOP8
ADM5120PX-AB-T-2 1009 13+ QFP208
TDA8950J 1011 15+ ZIP23
HT8950 1012 HOLTEK 16+ INMERSIÓN
TDA7384 1012 ST 16+ CREMALLERA
CS5550-ISZ 1022 CIRRO 14+ SSOP24
LF412CN 1022 NS 14+ DIP8
IR21141SSPBF 1031 IR 14+ SSOP24
XCF04SVOG20C 1034 XILINX 16+ COMPENSACIÓN
MC34084P 1050 EN 16+ DIP-14
DAC1220E 1077 TI 13+ SSOP16
AT91SAM7X256-AU 1088 ATMEL 15+ QFP
74LVX4245MTCX 1100 FSC 16+ TSSOP
ADM2582EBRWZ 1100 ANUNCIO 16+ SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD

CANAL N 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D

PowerMESH™ muy rápido IGBT

■Un DESCENSO MÁS BAJO de ON-VOLTAGE (Vcesat)

■DE PÉRDIDAS INCLUYA LA CORRIENTE DE LA COLA

■LAS PÉRDIDAS INCLUYEN ENERGÍA DE LA RECUPERACIÓN DEL DIODO

■BAJE EL RATIO DE CRES/CIES

■OPERACIÓN DE ALTA FRECUENCIA HASTA 70 kilociclos

■DIODO PARALELO ANTI DE LA RECUPERACIÓN ULTRARRÁPIDA SUAVE MISMA

■PRODUCTOS DE LA NUEVA GENERACIÓN CON UNA DISTRIBUCIÓN MÁS APRETADA DEL PARÁMETRO

DESCRIPCIÓN

Usando la última tecnología de alto voltaje basada en una disposición patentada de la tira, STMicroelectronics ha diseñado una familia avanzada de IGBTs, el PowerMESH™ IGBTs, con funcionamientos excepcionales. El sufijo “H” identifica a una familia optimizada para los usos de alta frecuencia para alcanzar los funcionamientos que cambian muy altos (tfall reducido) mantaining un descenso de la baja tensión.

USOS

■INVERSORES DE ALTA FRECUENCIA

■SMPS Y PFC EN AMBOS INTERRUPTOR DURO Y TOPOLOGÍAS RESONANTES

■CONDUCTORES DEL MOTOR

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

 STGF7NC60HD
VCES Voltaje del Colector-emisor (VGS = 0) 600 V
VECR Voltaje del Emisor-colector 20 V
VGE Voltaje del Puerta-emisor ±20 V
IC Corriente de colector (continua) en TC = 25°C (#) 25 10
IC Corriente de colector (continua) en TC = 100°C (#) 14 6
¿ICM (? 1) Corriente de colector (pulsada) 50
SI Corriente delantera del RMS del diodo en TC = 25°C 20
PTOT Disipación total en TC = 25°C 80 25 W
Reducir la capacidad normal de factor 0,64 0,20 W/°C
VISO

El aislamiento soporta el A.C. del voltaje.

(t = 1 sec; Tc = 25°C)

 - 2500 V
Tstg Temperatura de almacenamiento – 55 a 150 °C
Tj Temperatura de empalme de funcionamiento

(1?) anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

Cuadro 1: Paquete

Cuadro 2: Diagrama esquemático interno

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