| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ |
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El puente rectificador de Schottky del diodo de rectificador STPS2150 ACCIONA EL RECTIFICADOR de SCHOTTKY
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Diodo 150 V 2A a través del agujero DO-15
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Fabricante
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Regulador de la protección de la sobretensión del diodo de rectificador de LT4356CMS-1#TRPBF y limitador de la avalancha
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Fabricante
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BZX84C2V7 350 circuitos integrados populares de los diodos Zener planares del silicio del soporte de la superficie del mW
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Soporte superficial SOT-23 del diodo Zener 2,7 V 350 mW el ±7.41%
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Fabricante
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Circuitos integrados populares de los diodos Zener del silicio del diodo de rectificador TZM5239B-GS08
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Soporte superficial superficial SOD-80 MiniMELF del diodo 9,1 V 500 mW el ±5% del soporte SOD-80 Min
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Fabricante
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PESD3V3L5UF, 115 arrayes de fotodiodos quíntuplos unidireccionales de la protección del ESD de la capacitancia baja del diodo de rectificador
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12V soporte superficial 6-XSON, SOT886 (1.45x1) del diodo de la abrazadera 2.5A (8/20µs) Ipp TV
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Fabricante
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Diodos Zener planares del silicio 1N4758A-TAP para el chip CI electrónico estabilizado de la fuente de alimentación
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Diodo Zener 56 V 1,3 W el ±5% a través del agujero DO-204AL (DO-41)
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Fabricante
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Transistores de poder de la prueba del MOSFET del poder de IRF7424TRPBF HEXFET
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Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 11A (TA)
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Fabricante
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Modo 30V del aumento del canal N del transistor de efecto de campo AO3400A
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Fabricante
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canal N To-92 FSC común original del transistor del Mosfet del poder 2N5459
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Canal N 25 V 625 mW de JFET a través del agujero TO-92-3
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Fabricante
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Los rectificadores controlados de silicio 2N6405G invierten el bloqueo de los tiristores 50 a 800 VOLTIOS
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SCR 800 V 16 una recuperación estándar a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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Circuitos integrados de fines generales de la electrónica del transistor de BC817-25LT1G NPN
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Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW
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Fabricante
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Componentes duales de la electrónica del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de BC847A
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Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Fabricante
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Transistores de fines generales NPN IC eléctrico del silicio de BC846B
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Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 de 350 mW
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Fabricante
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Amplificador de fines generales del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet del poder
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Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW a través del agujero TO-92-3
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Fabricante
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Transistor de fines generales de KSP2907ATF
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Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW a través del agujero TO-92-3
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Fabricante
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El transistor linear 2N5458 JFETs del Mosfet del poder llevó los chips CI de las televisiones
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Canal N 25 V 310 mW de JFET a través del agujero TO-92 (TO-226)
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Fabricante
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Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal
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Soporte superficial SOT-223 del P-canal 50 V 1A 1.8W
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Fabricante
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Puerta sensible del poder del Mosfet del transistor BT136-600E de los triac complementarios del tiristor
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Lógica del TRIAC - puerta sensible 600 V 4 A a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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Transferencia de BD681 NPN DarliCM GROUPon Power Transistors Medium Power
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Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W a través del agujero SOT-32-3
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Fabricante
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Serie de fines generales del interruptor BTA41-600BRG 40A BTA del amortiguador del triac de la corriente ALTERNA
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Estándar 600 V 40 A del TRIAC a través del agujero TOP3
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Fabricante
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TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder
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Estándar 600 V 16 A del TRIAC a través del agujero TO-220
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N del transistor del Mosfet del poder de AO3400A
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Soporte SOT-23-3 de la superficie 1.4W (TA) del canal N 30 V 5.7A (TA)
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Fabricante
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Transferencia rápida del transistor del Mosfet del poder de la tercera generación HEXFET IRFBC40PBF
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Canal N 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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Ultrabajo en mosfet ic IRLML6402TRPBF del poder de la resistencia HEXFET
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Soporte Micro3™/SOT-23 de la superficie 1.3W (TA) del P-canal 20 V 3.7A (TA)
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Fabricante
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Transistor del Mosfet del poder de HEXFET, módulo IRF7329TRPBF del mosfet del poder
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Soporte superficial 8-SO del arsenal 12V 9.2A 2W del Mosfet
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Fabricante
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La CA entró el transistor componente H11AA1M de la electrónica de los acopladores ópticos del fototransistor
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Transistor del aislador óptico con el canal bajo 6-DIP de la salida 4170Vrms 1
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Fabricante
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Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
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Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 8 un soporte superficial TP-FA de 330MHz 1 W
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Fabricante
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transistor FDV305N del Mosfet del poder de PowerTrench del canal N 20V
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Soporte SOT-23-3 de la superficie 350mW (TA) del canal N 20 V 900mA (TA)
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Fabricante
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Uso que cambia de fines generales BC856BLT3G del transistor del silicio de PNP
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Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW
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Fabricante
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Transistor (Npn) para los usos generales del Af, alta corriente de colector Bc817-40
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Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
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Fabricante
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Poder complementario Ttransistors BD139 del silicio
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Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1,5 A W 1,25 a través del agujero SOT-32-3
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Fabricante
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Resistencia termal baja 100 MOSFETs CSD19533Q5A del poder de NexFET del canal N de V
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Canal N 100 V 100A (TA) 3.2W (TA), 96W (Tc) soporte 8-VSONP (5x6) de la superficie
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Fabricante
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MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V
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Soporte SOT-23-3 de la superficie 350mW (TA) del canal N 20 V 900mA (TA)
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Fabricante
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100V 80A, transistor del Mosfet del poder 9mз calificado a la capacidad FDB3632 del AEC Q101 UIS
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Canal N 100 V 12A (TA), 80A (Tc) 310W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
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Fabricante
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El vidrio la monofásico apaciguó el puente rectificador los puentes rectificadores apaciguados de cristal de 25,0 amperios GBJ2510
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Estándar la monofásico del puente rectificador 1 kilovoltio a través del agujero GBJ
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Fabricante
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8 un transistor suave ultrarrápido HFA08TB60 del Mosfet del poder del diodo de la recuperación de HEXFRED
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Diodo 600 V 8A Orificio Pasante TO-220AC
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Fabricante
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Puerta sensible BT134W-600E, condensador de cerámica de los triac del smd modelo de la gota de ferrita 115
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Lógica del TRIAC - soporte superficial sensible SC-73 de la puerta 600 V 1 A
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Fabricante
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Transistor sensible IC original Chip Power Tran de la puerta de los triac de BT139-800E 1 en oferta de la acción del teléfono de la TV
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Lógica del TRIAC - puerta sensible 800 V 16 A a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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Transistor nuevo y original IRLR8729TRPBF del Mosfet del poder de HEXFET
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Soporte D-Pak de la superficie 55W (Tc) del canal N 30 V 58A (Tc)
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Fabricante
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GaAs Ired del transistor del Mosfet del poder TLP734 nuevo y original y transistor de la foto
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El transistor del aislador óptico hizo salir 4000Vrms 1 el canal 6-DIP
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Fabricante
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MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
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Soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie 225mW (TA) del canal N 50 V 200mA (TA)
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Fabricante
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Transistor NPN del Mosfet del poder BFR520 transistor de la banda ancha de 9 gigahertz
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Soporte superficial SC-75 del transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW del RF
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Fabricante
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La ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756 montó los rectificadores
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Diodo 600 V 6A
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Fabricante
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Transistor nuevo y original del Mosfet del poder de STA434A PNP + NPN DarliCM GROUPon H - puente
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Arsenal bipolar 2 NPN, 2 PNP DarliCM GROUPon (H-puente) 60V 4A 4W del transistor (BJT) a través del
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Fabricante
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Transistores P del mosfet del poder más elevado SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
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P-canal 20 V 3.1A (Tc) 860mW (TA), 1.6W (Tc) soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie
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Fabricante
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Transistor del Mosfet del poder PMBT2222AYS115, mosfet del poder de PHILIPS que cambia NPN
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Conjunto de transistores bipolares (BJT)
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Fabricante
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Diodo suave ultrarrápido de la recuperación del transistor del Mosfet del poder 60APU06, 60 un FRED PtTM
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Diodo 600 V 60A a través del agujero TO-247AC
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Fabricante
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Circuitos integrados de la electrónica de BC847B IC, mosfet de fines generales 45V
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Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Fabricante
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Transistor de fines generales de la banda ancha del transistor NPN 7GHz del Mosfet del poder del transistor del npn BFG135
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Soporte superficial SC-73 del transistor NPN 15V 150mA 7GHz 1W del RF
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Fabricante
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TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn de BC847C
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Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Fabricante
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