Transistor de fines generales de KSP2907ATF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
KSP2907A
Transistor de fines generales
• Voltaje del Colector-emisor: VCEO= 60V
• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)
• Refiera a KSP2907 para los gráficos
Transistor epitaxial del silicio de PNP
Grados máximos absolutos Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente
Unidades del valor de parámetro del símbolo
Voltaje -60 V de la Colector-base de VCBO
Voltaje -60 V del Colector-emisor de VCEO
Voltaje -5 V de la Emisor-base de VEBO
Corriente de colector de IC -600 mA
Disipación de poder del colector de la PC 625 mW
Temperatura de almacenamiento del °C TSTG de la temperatura de empalme de TJ 150 -55 ~ °C 150
NEGACIÓN
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POLÍTICA DEL CONECTADO A UNA MÁQUINA QUE MANTIENE LAS CONSTANTES VITALES
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| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -60 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -60 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
| IC | Corriente de colector | -600 | mA |
| PC | Disipación de poder del colector | 625 | mW |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | °C |
| TSTG | Temperatura de almacenamiento | -55 | °C |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC