Los rectificadores controlados de silicio 2N6405G invierten el bloqueo de los tiristores 50 a 800 VOLTIOS
2N6405G
Los rectificadores controlados de silicio invierten el bloqueo de los tiristores 50 a 800 VOLTIOS
Características
• Empalmes apaciguados de cristal con la puerta de centro
Geometría para la mayores uniformidad y estabilidad del parámetro
• Pequeño, rugoso, construcción de Thermowatt
para la resistencia termal baja, disipación de alto calor
• Voltaje de bloqueo a 800 V
• Éstos son dispositivos de Pb−Free
RATINGS* MÁXIMO (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
En-estado RMS actual | LAS TIC (RMS) | 16 | |
Corriente media del En-estado | LAS TIC (SISTEMA DE PESOS AMERICANO) | 10 | |
Sobretensión sin repetición máxima | ITSM | 160 | |
Consideraciones de fusión del circuito (t = ms 8,3) | YO 2t | 145 | A2s |
Poder máximo delantero de la puerta | PGM | 20 | W |
Poder medio delantero de la puerta | PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 0,5 | W |
Corriente máxima delantera de la puerta | IGM | 2,0 | |
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | TJ | −40 a +125 | °C |
Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | −40 a +150 | °C |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
