Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > La ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756 montó los rectificadores

La ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756 montó los rectificadores

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 600 V 6A
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VRRM:
600 V
VRSM:
720 V
VR (RMS):
420 V
IFSM:
400 (para 1 ciclo) A
TJ, Tstg:
°C 65 a +175
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Rectificadores montados ventaja de gran intensidad


Características

• La capacidad actual comparable al chasis montó los rectificadores

• Alta capacidad misma de la oleada

• Caja aislada

• Los paquetes de Pb−Free son características mecánicas de Available*:

• Caso: De epoxy, moldeado

• Peso: 2,5 gramos (aproximadamente)

• Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y la ventaja terminal es fácilmente Solderable

• Temperatura de la ventaja para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos

• Polaridad: Banda de la polaridad del cátodo

MR7 = código de dispositivo

xx = 50, 51, 52, 54, 56 o 60

= paquete de Pb−Free

(Nota: El Microdot puede estar en cualquier ubicación)

INFORMACIÓN EL ORDENAR

See detalló la información que ordenaba y de envío en la sección de las dimensiones del paquete en la página 6 de esta hoja de datos.

Para una entrada de la onda cuadrada de la amplitud VM, el factor de eficacia se convierte:

(El circuito de onda completa de A tiene dos veces estas eficacias)

Como la frecuencia de la señal de entrada se aumenta, la época de recuperación reversa del diodo (el cuadro 10) llega a ser significativo, dando por resultado un componente cada vez mayor del voltaje ca a través de RL que sea opuesto en polaridad al adelante actual, de tal modo reduciendo el valor del σ del factor de eficacia, como se muestra en el cuadro 9.

Debe ser acentuado ese cuadro 9 eficacia de la forma de onda de las demostraciones solamente; no proporciona una medida de pérdidas del diodo. Los datos fueron obtenidos midiendo el componente de CA del Vo con un voltímetro de CA verdadero del rms y el componente de DC con un voltímetro de DC. Los datos fueron utilizados en la ecuación 1 para obtener los puntos para el cuadro 9.

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20