La ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756 montó los rectificadores
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Rectificadores montados ventaja de gran intensidad
Características
• La capacidad actual comparable al chasis montó los rectificadores
• Alta capacidad misma de la oleada
• Caja aislada
• Los paquetes de Pb−Free son características mecánicas de Available*:
• Caso: De epoxy, moldeado
• Peso: 2,5 gramos (aproximadamente)
• Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y la ventaja terminal es fácilmente Solderable
• Temperatura de la ventaja para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos
• Polaridad: Banda de la polaridad del cátodo
MR7 = código de dispositivo
xx = 50, 51, 52, 54, 56 o 60
= paquete de Pb−Free
(Nota: El Microdot puede estar en cualquier ubicación)
INFORMACIÓN EL ORDENAR
See detalló la información que ordenaba y de envío en la sección de las dimensiones del paquete en la página 6 de esta hoja de datos.
Para una entrada de la onda cuadrada de la amplitud VM, el factor de eficacia se convierte:
(El circuito de onda completa de A tiene dos veces estas eficacias)
Como la frecuencia de la señal de entrada se aumenta, la época de recuperación reversa del diodo (el cuadro 10) llega a ser significativo, dando por resultado un componente cada vez mayor del voltaje ca a través de RL que sea opuesto en polaridad al adelante actual, de tal modo reduciendo el valor del σ del factor de eficacia, como se muestra en el cuadro 9.
Debe ser acentuado ese cuadro 9 eficacia de la forma de onda de las demostraciones solamente; no proporciona una medida de pérdidas del diodo. Los datos fueron obtenidos midiendo el componente de CA del Vo con un voltímetro de CA verdadero del rms y el componente de DC con un voltímetro de DC. Los datos fueron utilizados en la ecuación 1 para obtener los puntos para el cuadro 9.

