8 un transistor suave ultrarrápido HFA08TB60 del Mosfet del poder del diodo de la recuperación de HEXFRED
multi emitter transistor
,silicon power transistors
CARACTERÍSTICAS
• Recuperación ultrarrápida
• Recuperación Ultrasoft
• IRRM bajo mismo
• Qrr bajo mismo
• Especificado en las condiciones de funcionamiento
• Diseñado y calificado para el nivel industrial
VENTAJAS
• IRF y EMI reducidas
• Apagón reducido en diodo y transistor de transferencia
• Una operación más alta de la frecuencia
• Rechazo reducido
• Las piezas reducidas cuentan
DESCRIPCIÓN
HFA08TB60 es un diodo ultrarrápido avanzado de la recuperación. Empleando el más último de la construcción epitaxial y de técnicas de proceso avanzadas ofrece una combinación magnífica de características que resultado en el funcionamiento que es sin igual por cualquier rectificador previamente disponible. Con grados básicos de 600 V y 8 una corriente continua, el HFA08TB60 está especialmente bien adaptada para el uso como el diodo del compañero para IGBTs y los MOSFETs. Además de tiempo de recuperación ultrarrápido, la línea de productos de HEXFRED® ofrece extremadamente - escasos valores de la corriente máxima de la recuperación (IRRM) y no exhibe ninguna tendencia a la “broche-apagado” durante la porción de la TB de recuperación. Las características de HEXFRED combinan para ofrecer a diseñadores un rectificador con pérdidas que cambian más de poco ruido y perceptiblemente más bajas en el diodo y el transistor que cambia. Estas ventajas de HEXFRED pueden ayudar a reducir perceptiblemente el rechazo, la cuenta componente y tamaños del disipador de calor. El HEXFRED HFA08TB60 se adapta idealmente para los usos en fuentes de alimentación y los sistemas de conversión de poder (tales como inversores), las impulsiones del motor, y muchos otros usos similares donde de alta velocidad, eficacia alta es necesario.
| RESUMEN DEL PRODUCTO | |
| VR | 600 V |
| VF en 8 A en el °C 25 | 1,7 V |
| F (SISTEMA DE PESOS AMERICANO) | 8 A |
| trr (típico) | 18 ns |
| TJ (máximo) | °C 150 |
| Qrr (típico) | 65 nC |
| dI (rec) M/dt (típicos) | 240 A/µs |
Diodo suave ultrarrápido de la recuperación, 8 A
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC