MOSFET FDV305N de PowerTrench del canal N del transistor del Mosfet del poder 20V
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 de la superficie 350mW (TA) del canal N 20 V 900mA (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
20 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
± 12 V
Disipación de poder máxima:
0,35 W
Corriente entrada:
±5 mA
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento:
– °C 55 a +150
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
MOSFET del de PowerTrench del canal N de FDV305N 20V
Descripción general
Este MOSFET del canal N 20V utiliza el proceso de alto voltaje de PowerTrench de Fairchild. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder.
Usos
• Interruptor de la carga
• Protección de la batería
• Gestión del poder
Características
• 0,9 A, 20 V
MΩ 220 del RDS (ENCENDIDO) = @ VGS = 4,5 V
MΩ 300 del RDS (ENCENDIDO) = @ VGS = 2,5 V
• Carga baja de la puerta
• Velocidad que cambia rápida
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Parámetro | Grados | Unidades |
| VDSS | Voltaje de la Dren-fuente | 20 | V |
| VGSS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 12 | V |
| Identificación |
Drene actual – continuo – Pulsado |
0,9 2 |
|
| Paladio | Disipación de poder máxima | 0,35 | W |
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | – 55 a +150 | °C |
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