Modo 30V del aumento del canal N del transistor de efecto de campo AO3400A
power mosfet ic
,silicon power transistors
Modo 30V del aumento del canal N del transistor de efecto de campo AO3400A
AO3400A N
- Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal
| Descripción general | Característica |
| El AO3400A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM. El producto estándar AO3400A es Pb-libre (las reuniones ROHS y Sony 259 especificaciones). |
VDS (v) = 30V Identificación = 5.7A (VGS = 10V) RDS (ENCENDIDO) < 26=""> RDS (ENCENDIDO) < 32m=""> RDS (ENCENDIDO) < 48m=""> |
Características termales
| Parámetro | Símbolo | Tipo | Máximo | Unidad | |
| A Empalme-a-ambiente máxima | ≤ 10s de t | RθJA |
70 |
90 | °C/W |
| A Empalme-a-ambiente máxima | De estado estacionario | 100 | 125 | °C/W | |
| Empalme-a-ventaja máxima C | De estado estacionario | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
: El valor de RθJA se mide con el dispositivo montó en el 1in el tablero 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T A=25°C. El valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B: Grado repetidor, anchura de pulso limitada por la temperatura de empalme TJ (max) =150°C.
C. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar el θJL de R y a llevar a ambiente.
D. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300 us="" pulses="">
E. Estas pruebas se realizan con el dispositivo montaron en 1 en el tablero 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T A=25°C. La curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.
F: El grado actual se basa en el grado de la resistencia termal del ≤ 10s de t. Rev0: Abril de 2007
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
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