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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Resistencia termal baja 100 MOSFETs CSD19533Q5A del poder de NexFET del canal N de V

Resistencia termal baja 100 MOSFETs CSD19533Q5A del poder de NexFET del canal N de V

Resistencia termal baja 100 MOSFETs CSD19533Q5A del poder de NexFET del canal N de V
Resistencia termal baja 100 MOSFETs CSD19533Q5A del poder de NexFET del canal N de V
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 100 V 100A (TA) 3.2W (TA), 96W (Tc) soporte 8-VSONP (5x6) de la superficie
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-a-fuente:
100 V
Total de la carga de la puerta (10 V):
27 nC
Puerta de la carga de la puerta a drenar:
4,9 nC
Dren-a-fuente en resistencia:
mΩ 8,7
Voltaje del umbral:
2,8 V
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

CARACTERÍSTICAS

• Qg y Qgd ultrabajos

• Resistencia termal baja

• Avalancha clasificada

• Galjanoplastia terminal Pb-libre

• RoHS obediente

• Halógeno libre

• HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

USOS

• Telecomunicaciones laterales primarias

• Rectificador síncrono lateral secundario

• Control de motor

DESCRIPCIÓN

Este 100 V, 7,8 mΩ, HIJO 5 milímetro x 6 milímetros NexFET™

el MOSFET del poder se diseña para minimizar pérdidas adentro

usos de la conversión de poder.

Información de la cinta y del carrete de Q5A

Notas:

1. tolerancia acumulativa ±0.2 de la agujero-echada 10-sprocket

2. Combe para no exceder 1 milímetro en 100 milímetros, más de 250 milímetros no cumulativos

3. Material: poliestireno estático-disipante negro

4. Todas las dimensiones están en el milímetro (salvo especificación de lo contrario)

5. A0 y B0 midieron en un avión 0,3 milímetros sobre la parte inferior del bolsillo

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