Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > chips CI electrónicos > MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie 225mW (TA) del canal N 50 V 200mA (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VDSS:
50 VDC
Vgs:
± 20 VDC
YO D:
200 mA
Paladio:
225 mW
TL:
°C 260
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

MOSFET del poder 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Los usos típicos son los convertidores de DC−DC, gestión del poder en productos portátiles y battery−powered tales como ordenadores, impresoras, tarjetas de PCMCIA, celular y los teléfonos inalámbricos.

Características

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

• Voltaje bajo del umbral (VGS (th):

0,5 V−1.5 V) hacen ideal para los usos de la baja tensión

• El paquete superficial miniatura del soporte SOT−23 ahorra el espacio del tablero

NOTAS:

1. DIMENSIONALIZACIÓN Y TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSIÓN QUE CONTROLA: PULGADA.

3. EL GRUESO MÁXIMO DE LA VENTAJA INCLUYE GRUESO DEL FINAL DE LA VENTAJA. EL GRUESO MÍNIMO DE LA VENTAJA ES EL GRUESO MÍNIMO DE LA MATERIA PRIMA.

4. 318−03 Y −07 OBSOLETOS, NUEVO 318−08 ESTÁNDAR.

GRADOS MÁXIMOS (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje de Drain−to−Source VDSS 50 VDC
− del voltaje de Gate−to−Source continuo VGS ± 20 VDC
Disipación de poder total @ TA = 25°C Paladio 225 mW
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento TJ, Tstg − 55 a 150 °C
− Junction−to−Ambient de la resistencia termal RJA 556 °C/W
Temperatura máxima de la ventaja para los propósitos que sueldan, por 10 segundos TL 260 °C

PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.