La CA entró el transistor componente H11AA1M de la electrónica de los acopladores ópticos del fototransistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
H11AA1M, H11AA2M, H11AA3M, H11AA4M
La CA entró/los acopladores ópticos del fototransistor
Características
■Entrada bipolar del emisor
■Protección reversa incorporada de la entrada de la polaridad
■El laboratorio de los suscriptores (UL) reconoció el fichero #E90700, volumen 2
■El VDE aprobó el fichero #102497 (opción que ordena ‘V ")
Usos
■Línea controlador de la CA
■Sensor desconocido de DC de la polaridad
■Línea telefónica interfaz
Descripción
La serie de H11AAXM consiste en el arseniuro de galio dos
diodos de emisión infrarrojos conectados en paralelo inverso
conducción de una sola salida del fototransistor del silicio.
Grados máximos absolutos
(TA =25°C salvo especificación de lo contrario)
Las tensiones que exceden los grados máximos absolutos pueden dañar el dispositivo. El dispositivo puede no funcionar o ser operable sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas y subrayar las piezas a estos niveles no se recomienda. Además, la exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo. Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente.
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC