Circuitos integrados de fines generales de la electrónica del transistor de BC817-25LT1G NPN
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Circuitos integrados de fines generales de la electrónica del transistor de BC817-25LT1G NPN
* alta ganancia y TIPO COMPLEMENTARIO bajo de los voltajes de saturación – DETALLE de BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH
Características
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles
GRADOS MÁXIMOS
Unidad de clasificación del valor del símbolo
Voltaje VCEO 45 V de Collector−Emitter
Voltaje VCBO 50 V de Collector−Base
Voltaje VEBO 5,0 V de Emitter−Base
MAdc continuo de IC 500 del − de la corriente de colector
Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.
CARACTERÍSTICAS TERMALES
Símbolo característico máximo
Tablero total de la disipación FR−5 del dispositivo de la unidad, (nota 1) TA = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C el paladio 225 1,8 de la resistencia termal del mW mW/°C,
Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W
Substrato total del alúmina de la disipación del dispositivo, (nota 2) TA = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C el paladio 300 2,4 mW mW/°C
Resistencia termal, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W
Temperatura TJ, Tstg −55 del empalme y de almacenamiento al °C +150
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 adentro.
2. Alúmina = 0,4 x 0,3 x 0,024 en el alúmina 99,5%.
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC