| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ |
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La ALTA CA del AISLAMIENTO vol. TAGE de PS2805C-1-F3-A ENTRÓ la placa de circuito ic
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El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 1 el canal 4-SSOP
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Fabricante
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SLA6020 transistores de poder de prueba de la impulsión trifásica del motor de PNP + de NPN DarliCM GROUPon
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Conjunto de transistores bipolares (BJT) 3 NPN, 3 PNP DarliCM GROUPon (puente trifásico) 100 V 5 A 5
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Fabricante
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El catálogo restaurable 12v de la forma corta del dispositivo de RXEF090 PolySwitch™ llevó a la placa de circuito
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Fusible restaurable polimérico 72V 900 mA Ih del PTC a través de la parte radial del agujero, disco
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Fabricante
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MOSFET eléctrico del poder del ic HEXFET del transistor del Mosfet del poder de IRL3713PBF
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Canal N 30 V 260A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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NTD5802NT4G accionan el mosfet del poder del MOSFET que cambia 40 V
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N-Channel 40 V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK
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Fabricante
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El vidrio superficial del soporte EGL41D-E3/97 apaciguó el modelo ultrarrápido del diodo doble del rectificador
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Soporte superficial DO-213AB del diodo 200 V 1A
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Fabricante
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Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal
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Conjunto de Mosfet 30V 3.7A, 2.9A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC
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Fabricante
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Transistor S-IGBT rápido del Mosfet del poder SGP02N120 en NPT-tecnología
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IGBT NPT 1200 V 6,2 A 62 W a través del agujero PG-TO220-3-1
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Fabricante
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Transistores de poder medio del transistor NPN del Mosfet del poder BCP56-16
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Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W Montaje en superficie SOT-223
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Fabricante
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Transistores de poder complementarios del silicio del transistor del módulo del Mosfet del poder de TIP41C
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Transistor bipolar (BJT) NPN 100 V 6 A 65 W Orificio pasante TO-220
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Fabricante
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Transistores complementarios del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP120
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Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 60 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
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Fabricante
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Transistores actuales grandes bajos del Mosfet del poder más elevado del voltaje de saturación del colector 2SB1151-Y-BP
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Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 5 A W 1,25 a través del agujero TO-126
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Fabricante
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Tipo planar epitaxial del silicio PNP del transistor del Mosfet del poder 2SB1219A
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Transistor bipolar (BJT) PNP 50 V 500 mA 200MHz soporte superficial SMini3-G1 de 150 mW
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Fabricante
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Transistor del Mosfet del poder más elevado del transistor de poder de BD442 PNP/Mosfet Ic del poder
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Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 4 A 3MHz 36 W Orificio pasante TO-126
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Fabricante
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CANAL N JFETS del amplificador del RF del canal N del transistor del Mosfet del poder 2N5486
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Mosfet 15 V 4 mA 400MHz TO-92-3 del RF
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Fabricante
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Módulo P dual - canal, MOSFET del Mosfet del poder FDS6975 de PowerTrenchTM
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Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
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Fabricante
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Canal N de fines generales del transistor del Mosfet del poder del mosfet de IRF7601PBF
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Soporte Micro8™ de la superficie 1.8W (TA) del canal N 20 V 5.7A (TA)
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Fabricante
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MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A
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Canal N 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Fabricante
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Transistor P - mosfet del Mosfet del poder de IRFR9120N del poder de la transferencia de canal
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P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Fabricante
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MOSFET Zener-protegido CANAL N de SuperMESHPower del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder del smd⑩ de P10NK80ZFP
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Canal N 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) a través del agujero TO-220FP
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Fabricante
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Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia
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Canal P 30 V 2,5 A (Ta) 760 mW (Ta) Montaje en superficie SOT-23-3
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Fabricante
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Transistor del Mosfet del poder de NJW0281G NJW0302G, transistores de poder de NPN PNP
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Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Orificio pasante TO-3P-3L
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Fabricante
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Transistor del Mosfet del poder que cambia TIP50, mosfet de alto voltaje del poder
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 2 W Through Hole TO-220
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Fabricante
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Transistor complementario del Mosfet del poder de NJW0302G que cambia, NPN - transistores bipolares del poder de PNP
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
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Fabricante
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SI7846DP-T1-E3 mosfet ic, transistor componente del poder del canal N 150-V (D-S) de la electrónica
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N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Fabricante
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Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC327-40
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Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 800 mA 100 MHz 625 mW Orificio pasante TO-92
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Fabricante
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Transistor del silicio PNP del poder del transistor del Mosfet del poder BD440
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Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 4 A 3MHz 36 W Orificio pasante TO-126
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Fabricante
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Mosfet de alta velocidad del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia FS3KM-9A#B00
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Fabricante
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Mosfet del poder de MOS Type Switching Regulator Applications del canal N del silicio que cambia 2SK3564
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N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
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Fabricante
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Los TRIAC de BTA24-600BW 25A imprimieron el mosfet complementario del poder de la placa de circuito
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TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
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Fabricante
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Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP
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N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Fabricante
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MOSFET del canal N del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder FQP30N06
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N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
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Fabricante
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Mosfet PLANAR del poder del SILICIO de ZTX653 que cambia NPN (TRANSISTORES de PODER MEDIO)
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Fabricante
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Mosfet audio PLANAR del poder del smd del mosfet del poder de los TRANSISTORES de PODER MEDIO del SILICIO de ZTX753 PNP
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 140MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Fabricante
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Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF
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N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Fabricante
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Mosfet de alto voltaje del poder del TRANSISTOR DE GRAN INTENSIDAD PLANAR del PODER MEDIO del SILICIO de ZTX958STZ PNP
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 85MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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Fabricante
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2SA1761, F (los componentes de la electrónica del transistor del Mosfet del poder de J saltan la electrónica de IC
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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Fabricante
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Mosfet de la energía baja del MOSFET del MODO del AUMENTO del P-CANAL de ZXMP6A13FTA 60V
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P-Channel 60 V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Fabricante
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Mosfet linear del poder del MOSFET del TRANSISTOR SOT23 SMD de ZVN3306FTA
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N-Channel 60 V 150mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Fabricante
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Alto de la capacidad de oleada del módulo del mosfet del poder TYN612 alto en puñalada actual del estado alta
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SCR 600 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
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Fabricante
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Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
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Fabricante
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Transistores de poder del silicio NPN de TIP35C que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
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Fabricante
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Los componentes de la electrónica del transistor del Mosfet del poder 2SK1582 saltan IC
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Fabricante
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Monofásico del Mosfet del poder KBP210 del Mosfet del poder linear del foso 2,0 amperios de puentes rectificadores apaciguados de cristal
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Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
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Fabricante
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Mosfet linear MONOFÁSICO del poder del foso del mosfet del poder de los PUENTES RECTIFICADORES KBU810
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Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBU
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Fabricante
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Transistor 3,0 del Mosfet del poder de NTF3055L108T1G un mosfet linear del poder del foso de 60 V
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N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
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Fabricante
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TL431AQDBZR, 215 reguladores ajustables de la desviación de la precisión integró el semiconductor
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Shunt Voltage Reference IC Adjustable 2.495V 36 VV ±1% 100 mA TO-236AB
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Fabricante
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Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de MJD122G que cambia DarliCM GROUPon Power Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
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Fabricante
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Transistor del Mosfet del poder del foso de FDS5690 60V, mosfet linear del poder del smd
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N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
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Fabricante
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Mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la RECUPERACIÓN del AISLAMIENTO de ER1004FCT de la energía baja ULTRARRÁPIDA de los RECTIFICADORES
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Diode Array 1 Pair Common Cathode 400 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
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Fabricante
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