Monofásico del Mosfet del poder KBP210 del Mosfet del poder linear del foso 2,0 amperios de puentes rectificadores apaciguados de cristal
power mosfet ic
,silicon power transistors
Monofásico del Mosfet del poder KBP210 del Mosfet del poder linear del foso 2,0 amperios de puentes rectificadores apaciguados de cristal
CARACTERÍSTICAS
Ideal del ‧ para la placa de circuito impresa
El ‧ afloja el grado de sobrecarga: 60 amperios de máximo
El soldar de alta temperatura del ‧: 260O C/10 segundos en los terminales
Producto libre del Pb del ‧ en disponible: Sn del 99% sobre la petición directiva de la sustancia del ambiente de RoHS de la reunión
DATOS MECÁNICOS
Caso del ‧: Plástico moldeado
El ‧ pega con epóxido: Tarifa de la UL 94V-0 ignífuga
Ventaja del ‧: MIL-STD-202E, método 208 garantizó
Polaridad del ‧: Los símbolos moldearon o marcaron en cuerpo
Posición de montaje del ‧: Ningunos
Peso del ‧: 2,74 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Grados del ‧ en la temperatura ambiente de 25 ℃ salvo especificación de lo contrario. Monofásico del ‧, media onda, 60 cargas de los herzios, resistentes o inductivas.
El ‧ para la carga capacitiva, reduce la capacidad normal de actual por el 20%.
LISTA COMÚN
PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | CREMALLERA |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MÓDULO |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MÓDULO |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | EN | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | EN | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | INMERSIÓN |
LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
P0926NL | 8560 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MÓDULO |
CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | COMPENSACIÓN |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
