CANAL N JFETS del amplificador del RF del canal N del transistor del Mosfet del poder 2N5486
power mosfet ic
,silicon power transistors
2N5484 MMBF5484
2N5485 MMBF5485
2N5486 MMBF5486
Amplificador del RF del canal N
Este dispositivo se diseña sobre todo para los usos de la conmutación electrónica tales como punto bajo en la transferencia análoga de la resistencia. Originario del proceso 50.
Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
---|---|---|---|
VDG | Voltaje de la Dren-puerta | 25 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | -25 | V |
IGF | Corriente de puerta delantera | 10 | mA |
TJ, Tstg | Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | -55 a +150 | °C |
los grados *These son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.
NOTAS:
1) Estos grados se basan en una temperatura de empalme máxima de 150 grados de C.
2) Éstos son límites de estado estacionario. La fábrica se debe consultar sobre los usos que implican operaciones de ciclo de trabajo pulsadas o bajas.
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
TS462CN | 4060 | ST | 09+ | DIP-8 |
TS912AIN | 30120 | ST | 12+ | DIP-8 |
TS912IN | 25248 | ST | 16+ | DIP-8 |
TSM101CN | 10808 | ST | 09+ | DIP-8 |
UC3843AL-D08-T | 10760 | ST | 16+ | DIP-8 |
UC3845BD013TR | 10778 | ST | 14+ | DIP-8 |
TNY178PN | 14900 | PODER | 13+ | DIP-7 |
TNY266PN | 18692 | PODER | 15+ | DIP-7 |
TNY268PN | 7412 | PODER | 15+ | DIP-7 |
TNY274PN | 11156 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TNY275PN | 15406 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TNY276PN | 6632 | PODER | 14+ | DIP-7 |
TNY277PG | 16374 | PODER | 13+ | DIP-7 |
TNY278PG | 16352 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TNY280PG | 20000 | PODER | 14+ | DIP-7 |
TNY284P | 3436 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TNY285P | 3720 | PODER | 14+ | DIP-7 |
TNY286P | 4288 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TNY286PG | 6916 | PODER | 13+ | DIP-7 |
TOP221PN | 7484 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TOP223PN | 8120 | PODER | 13+ | DIP-7 |
TOP242PN | 7768 | PODER | 16+ | DIP-7 |
TOP243PN | 20284 | PODER | 13+ | DIP-7 |
TOP254PN | 17920 | PODER | 13+ | DIP-7 |
STR-A6252M | 17692 | SANKEN | 08+ | DIP-7 |
R36MF2 | 17352 | SOSTENIDO | 16+ | DIP-7 |
S26MD02 | 5708 | SOSTENIDO | 16+ | DIP-7 |
TDA12165PS/N3/3 | 710 | 14+ | DIP-64 | |
TDA9386PS/N2/3I0956 | 1007 | PHILIPS | 03+ | DIP-64 |
TIL111 | 13136 | FAIRCHILD | 15+ | DIP-6 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
