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Transistor complementario del Mosfet del poder de NJW0302G que cambia, NPN - transistores bipolares del poder de PNP

Transistor complementario del Mosfet del poder de NJW0302G que cambia, NPN - transistores bipolares del poder de PNP
Transistor complementario del Mosfet del poder de NJW0302G que cambia, NPN - transistores bipolares del poder de PNP
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VCEO:
250 VDC
VCBO:
250 VDC
VEBO:
5.0 Vdc
VCEX:
250 Vdc
IC:
15 30 Adc
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Transistores bipolares del poder complementario de NPN-PNP

Estos dispositivos complementarios son versiones de un poder más bajo los transistores de la salida audio popular de NJW3281G y de NJW1302G. Con linearidades del aumento y funcionamiento superiores del área de funcionamiento seguro, estos transistores son ideales para las etapas de alta fidelidad de la salida del amplificador audio y otros usos lineares.

Características

•Área de funcionamiento seguro excepcional

•Aumento de NPN/PNP que hace juego dentro del 10% a partir de 50 mA a 3 A

•Linearidades excelentes del aumento

•Alto BVCEO

•De alta frecuencia

•Éstos son dispositivos Pb-libres Bene

Ventajas

•Funcionamiento confiable en las mayores potencias

•Características simétricas en configuraciones complementarias •Reproducción exacta de la señal entrada

•Mayor rango dinámico

•Alto App del ancho de banda del amplificador

GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje del Colector-emisor VCEO 250 VDC
Voltaje de la Colector-base VCBO 250 VDC
Voltaje de la Emisor-base VEBO 5,0 VDC
Voltaje del Colector-emisor - 1,5 V VCEX 250 VDC

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