Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja

Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Emitter-Base Voltage:
- 5 V
Collector Current (DC):
- 6 A
Collector Current (Pulse):
-10 A
Base Current:
-2 A
Collector Dissipation (TC=25°C):
65 W
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP


LISTA COMÚN

MCF5272VF66 3100 FREESCALE 10+ BGA
PMEG4010EH 16000 15+ SOD-123
LM2901DR2G 40000 EN 14+ SOP-14
LTC4054LES5-4.2 6519 LT 16+ SOT23-6
OPA548T 7940 TI 13+ TO-220
MI0805K400R-10 20000 ADMINISTRADOR 16+ SMD
PC3Q67Q 11480 SOSTENIDO 16+ COMPENSACIÓN
MAX9075EUK-T 9932 MÁXIMA 15+ BORRACHÍN
LT1932ES6#TRMPBF 11490 LINEAR 16+ SOT-23-6
MAX856ESA+ 8651 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
LP339M 7728 NSC 14+ SOP-14
LT1932ES6 11446 LT 16+ SOT-23-6
MAX941CSA+ 10481 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
LTC2436-1CGN 7052 LINEAR 11+ SSOP
OP275GSZ 6060 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
ICL3221ECAZ 2460 INTERSIL 14+ SSOP16
BRPY1211F-TR 1560 STANLEY 15+ SMD
FDV301N 2200 FSC 13+ SOT-23
FM25640-GTR 2200 RAMTRON 15+ SOP-8
AD8602ARZ 2450 ANUNCIO 14+ COMPENSACIÓN
BT151-500C 2100 15+ TO220
AD8604ARZ 2450 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
D3FS6 2225 SHINDENGE 13+ DO-214
BQ24702PW 1560 TI 15+ TSSOP-24
74LCX16374MTDX 7500 FAIRCHILD 15+ TSOP
HEF4052BT 1520 15+ COMPENSACIÓN
2SC3205 3000 KEC 16+ TO-92L
DS3231SN# 4860 MÁXIMA 15+ COMPENSACIÓN
HEF4013BT 1520 14+ COMPENSACIÓN

Características

• Usos que cambian lineares del poder medio

• Complemento a TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C

Grados máximos absolutos TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Valor Unidades
VEBO Voltaje de la Emisor-base - 5 V
IC Corriente de colector (DC) - 6
ICP Corriente de colector (pulso) -10
IB Corriente baja -2
TJ Temperatura de empalme 150 °C

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
50pcs