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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia

Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia

Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia
Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal P 30 V 2,5 A (Ta) 760 mW (Ta) Montaje en superficie SOT-23-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VDSS:
-30 V
VGSS:
±20 V
Identificación:
-3,8~ -3,0 A
IDM:
-20 A
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

LISTA COMÚN

2SD1408Y 3000 TOSHIBA 16+ TO-220F
EL 10TPB47M 9000 SANYO 16+ SMD
F931A106MAA 1950 NICHILON 14+ SMD
AM26LS32ACNSR 1600 TI 13+ SOP-16
EL 10TPC68M 9000 SANYO 15+ SMD
EL 10TPB33M 9000 SANYO 15+ SMD
A6251M 5800 SANKEN 11+ DIP-8
A6251M 2230 SANKEN 16+ DIP-8
H1061 3460 GOLPEE 14+ TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I 100 XILINX 15+ BGA
FSDM0265RN 3460 FAIRCHILD 16+ DIP-8
MOC3083 5588 FSC 16+ INMERSIÓN
GP1A52HRJ00F 3460 SOSTENIDO 15+ INMERSIÓN
PIC24FJ128GB106-I/PT 4173 MICROCHIP 15+ TQFP
C393C 1380 NEC 16+ DIP-8
DS1220AD-100IND+ 500 DALLAS 15+ DIP-24
ME15N10-G 5956 MATSU 16+ TO-252
D3SB60 2200 SHINDENGE 14+ TO-220
FT2232D 3460 FTDI 14+ QFP
BCV49 8000 INF 16+ SOT-89
2SA1941+2SC5198 3000 TOSHIBA 16+ TO-3P
LM5010SD 1942 NSC 14+ LLP-10
LM3916N-1 2134 NSC 11+ DIP-8
L9823 2949 ST 15+ SOP24
XC95216-20PQ160I 480 XILINX 12+ QFP-160
74HC14D 7500 16+ COMPENSACIÓN
DM-58 7740 NMB 13+ SORBO
LA4629 2652 SANYO 14+ ZIP-12
BFP183E6359 2100 15+ SMD
BAS70-04LT1G 15000 EN 15+ SOT-23
BAS70-05LT1G 15000 EN 15+ SOT-23
HEF4050BT 1520 15+ COMPENSACIÓN
EP1K30TC144-3 2370 ALTERA 16+ TQFP144
MCR265-10 5782 EN 16+ TO-220
GBPC3508W 3460 SEPT 13+ GBPC

DMG2307L-7

En-resistencia baja del MOSFET del MODO del AUMENTO del P-CANAL

Características y ventajas

• En-resistencia baja

• Capacitancia entrada baja

• Velocidad que cambia rápida

• Sin plomo por el diseño/RoHS obedientes (nota 1)

• Dispositivo “verde” (nota 2)

• Calificado a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad

Datos mecánicos

• Caso: SOT-23

• Material del caso: Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0 • Sensibilidad de humedad: Llano 1 por J-STD-020

• Indicador de las conexiones terminales: Vea el diagrama

• Terminales: El ⎯ Matte Tin del final recoció sobre el leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202,

Método 208

• Peso: 0,08 gramos (de aproximado

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