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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Mosfet de alta velocidad del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia FS3KM-9A#B00

Mosfet de alta velocidad del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia FS3KM-9A#B00

Mosfet de alta velocidad del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia FS3KM-9A#B00
Mosfet de alta velocidad del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia FS3KM-9A#B00
fabricante:
Fabricante
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source breakdown voltage:
500 V
Gate-source breakdown voltage:
±30 V
Gate-source leakage current:
±10 µA
Drain-source leakage current:
1 mA
Reverse transfer capacitance:
6 pF
voltaje del Fuente-dren:
1,5 V
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
ICM7211AMIQH 2177 MÁXIMA 15+ PLCC44
ICM7218BIJI 2128 INTERSIL 16+ DIP-28
ICM7555ISA+T 7263 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
ICS501M 13486 ICS 13+ SOP-8
ICS542MILF 2436 IDT 06+ SOP-8
IDG-2020 2483 INVENSENS 13+ QFN
IDT7132SA100P 8650 IDT 16+ INMERSIÓN
IDT71V124SA10PHG 2079 IDT 14+ TSOP-32
IDT7201LA50J 4619 IDT 00+ PLCC
IDT74ALVC164245PAG 6881 IDT 15+ TSSOP
IKW40T120 7085 16+ TO-247
IKW50N60T 4078 14+ TO-247
IKW75N60T 3696 13+ TO-247
IL420 3961 VISHAY 13+ DIP-6
ILQ621GB 2307 VISHAY 13+ DIP-16
ILQ74 6004 VISHAY 16+ DIP-16
IM03GR 16005 TYCO 16+ SMD
INA101AG 364 TI 12+ DIP-14
INA110SG 1498 TI 12+ CDIP-16
INA118UB 2360 TI 15+ SOIC-8
INA121U/2K5G4 2330 TI 15+ SOP-8
INA122U 3809 TI 14+ SOP-8
INA122UA 4600 TI 15+ COMPENSACIÓN
INA132UA/2K5 5750 TI 14+ SOP-8
INA138NA 7872 TI 16+ SOT23-5
INA155UA/2K5 6852 TI 15+ SOP-8
INA168NA/3K 4279 TI 16+ SOT23-5
INA2128U/1K 2281 TI 14+ SOP-16
INA331IDGKR 14035 TI 13+ MSOP
INA826AIDR 5661 TI 15+ SOP-8

MOSFET FS3KM-10 del PODER de MITSUBISHI Nch

USO QUE CAMBIA DE ALTA VELOCIDAD

VDSS ................................................................................ 500V

rDS (ENCENDIDO) (max) ................................................................. 4.4Ω

Identificación ......................................................................................... 3A

Viso ................................................................................ 2000V

USO

Convertidor de SMPS, de DC-DC, cargador de batería, fuente de alimentación de la impresora, copiadora, HDD, FDD, TV, VCR, etc. de computadora personal.

GRADOS MÁXIMOS (Tc = 25°C)

Símbolo Parámetro Condiciones Grados Unidad
VDSS voltaje de la Dren-fuente VGS = 0V 500 V
VGSS voltaje de la Puerta-fuente VDS = 0V ±30 V
Identificación Drene actual 3
IDM Corriente del dren (pulsada) 9
Paladio Disipación de poder máxima 30 W
Tch Temperatura del canal – 55 ~ +150 °C
Tstg Temperatura de almacenamiento – 55 ~ +150 °C
Viso Voltaje del aislamiento CA para 1minute, terminal a encajonar 2000 Vrms
Peso Valor típico 2,0 g

DIBUJO DE ESQUEMA

TO-220FN

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