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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal
Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Conjunto de Mosfet 30V 3.7A, 2.9A 900mW Montaje en superficie 8-SOIC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
30 o -30 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
± 20 V
Disipación de poder para la operación dual:
2 W
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento:
°C -55 a 150
Resistencia termal, empalme-a-ambiente:
78 °C/W
Resistencia termal, empalme-a-caso:
40 °C/W
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

NDS9952A

Transistor de efecto de campo dual del modo del aumento de N y del P-canal

Descripción general

Este los transistores duales de la n y de efecto de campo del poder del modo del aumento del P-canal se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado, proporcionar funcionamiento que cambia superior, y soporta pulsos de la alta energía en los modos de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos se adaptan particularmente para los usos de la baja tensión tales como gestión del poder del ordenador portátil y otros circuitos con pilas donde están necesarios la transferencia rápida, el apagón en línea bajo, y la resistencia a los transeúntes.

Características

  • Canal N 3.7A, 30V, RDS (ENCENDIDO) =0.08W @ VGS =10V.
  • P-canal -2.9A, -30V, RDS (ENCENDIDO) =0.13W @ VGS =-10V.
  • Diseño de alta densidad de la célula o extremadamente - RDS bajo (ENCENDIDO).
  • Poder más elevado y capacidad de dirección actual en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte.
  • (N y P-canal) MOSFET dual en paquete del soporte de la superficie.

Grados máximos absolutos TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Canal N P-canal Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 30 -30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ± 20 ± 20 V
Identificación

Drene actual - continuo (nota 1a)

- Pulsado

 ± 3,7 ± 2,9
± 15 ± 150
Paladio Disipación de poder para la operación dual 2 W

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento -55 a 150 °C

Notas: 1. RθJA es la suma del empalme-a-caso y de la resistencia termal caso-a-ambiente donde la referencia termal del caso se define como la superficie de montaje de la soldadura de los pernos del dren. RθJC es garantizado por diseño mientras que RθCA es determinado por el diseño del tablero del usuario.

RθJA típico para la sola operación del dispositivo usando las disposiciones del tablero mostradas abajo en 4,5"” PWB de FR-4 x5 en un ambiente de aire inmóvil:

a. 78℃/W cuándo montó en un 0,5 enel cojín2 del cpper 2oz.

b. 125℃/W cuándo montó en un 0,02 enel cojín2 del cpper 2oz.

c. 135℃/W cuándo montó en un 0,003 enel cojín2 del cpper 2oz.

Escala 1: 1 en el papel de 216 x 280 mm

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LTC4301CMS8 4300 LINEAR 16+ MSOP-8
LTC4311ISC6 3092 LT 15+ SC70
LTC4357CMS8#PBF 3990 LINEAR 16+ MSOP-8
LTC4365CTS8 4339 LINEAR 16+ SOT-23
LTC4365CTS8#TRPBF 4310 LINEAR 15+ SOT23-6
LTC4425EMSE#TRPBF 2954 LINEAR 16+ MSOP-12
LTC6903CMS8#PBF 6610 LT 14+ MSOP-8
LTC6903IMS8#PBF 5190 LT 11+ MSOP-8
LTC6908IS6-1 3669 LT 16+ SOT23-6
LTC6930CMS8-4.19#PBF 6620 LT 16+ MSOP-8
LTM8045IY#PBF 2038 LINEAR 12+ BGA40
LTST-C150KSKT 12000 LITEON 13+ SMD
LTST-C170KGKT 9000 LITEON 15+ LED
LTST-C171KRKT 9000 LITEON 16+ SMD
LTST-C190KGKT 9000 LITEON 15+ SMD0603
LTST-C191KGKT 12000 LITEON 16+ SMD
LTST-C193KRKT-5A 21000 LITEON 15+ SMD
LTST-S220KRKT 116000 LITE-ON 16+ LED
LTV354T 18000 LITEON 14+ SOP-4
LTV-356T 119000 LITEON 14+ SMD-4
LTV356T-D 47000 LITEON 14+ SOP-4
LTV4N25 72000 LITEON 16+ INMERSIÓN
LTV817C 12000 LITEON 14+ INMERSIÓN
LTV-817S-TA1-A 56000 LITE-ON 13+ SMD-4
LTV827 62000 LITEON 16+ DIP-8
LTV847S 19474 LITEON 13+ SOP-16
LX6503IDW 9119 MSC 09+ SOP-16
LXT6234QE BO 4013 INTEL 16+ QFP100
LXT980AHC 740 INTEL 13+ QFP208
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