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Transistor P - mosfet del Mosfet del poder de IRFR9120N del poder de la transferencia de canal

Transistor P - mosfet del Mosfet del poder de IRFR9120N del poder de la transferencia de canal
Transistor P - mosfet del Mosfet del poder de IRFR9120N del poder de la transferencia de canal
fabricante:
Fabricante
Descripción:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente pulsada del dren:
-26 A
Disipación de poder:
40W
Linear Derating Factor:
0.32 W/°C
Voltaje de la Puerta-a-fuente:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
100 mJ
 actual de la avalancha:
-6,6 A
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

IRFR/U9120N

MOSFET del poder de HEXFET®

• En-resistencia ultrabaja

• P-canal

• Soporte superficial (IRFR9120N)

• Ventaja recta (IRFU9120N)

• Tecnología de proceso avanzada

• Transferencia rápida

• Completamente avalancha clasificada

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para el por-agujero que monta usos. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ -10V -6,6
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ -10V -4,2
IDM Pulsado drene el  actual -26
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 40 W
Factor que reduce la capacidad normal linear 0,32 W/°C
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ± 20 V
EAS Solo ‚ de la energía de la avalancha del pulso 100 mJ
IAR  actual de la avalancha -6,6
OÍDO  repetidor de la energía de la avalancha 4,0 mJ
dv/dt ƒ máximo de la recuperación dv/dt del diodo -5,0 V/ns
TJ, TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a + 150 °C
Temperatura que suelda, por 10 segundos 300 (1.6m m de caso) °C

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LM3102MHX 4578 NS 1540+ TSSOP-20
LM311DR 58000 TI 13+ SOP-8
LM311DT 60000 ST 16+ SOP-8
LM317AMDT 52000 NS 13+ TO-252
LM317BTG 13900 EN 11+ TO-220
LM317DCYR 20007 TI 16+ SOT-223
LM317LD13TR 17000 ST 16+ SOP-8
LM317LZ 21782 TI 15+ TO-92
LM317MBSTT3G 4644 EN 15+ SOT-223
LM317MDTRKG 5965 EN 14+ TO-252
LM317MDT-TR 59000 ST 15+ TO-252
LM317MDTX 93000 NS 14+ TO-252
LM318P 3377 TI 03+ DIP-8
LM321MFX 6036 TI 10+ SOT-23
LM324ADR 66000 TI 16+ SOP-14
LM324ADR2G 11000 EN 14+ SOP-14
LM324DR 55000 TI 16+ SOP-14
LM324MX 6674 NS 16+ SOP-14
LM324N 28000 TI 13+ DIP-14
LM336DR-2-5 6529 TI 16+ SOP-8
LM339APWR 58000 TI 14+ TSSOP-14
LM339DT 110000 ST 12+ SOP-14
LM339MX 15905 NSC 03+ SOP-14
LM3404HVMRX 14402 TI 16+ SOP-8
LM3404MAX 14745 NS 15+ SOP-8
LM340T-15 4529 NS 13+ TO-220
LM3411M5-5.0 6998 TI 00+ SOT23-5
LM3414HVMR 8906 TI 10+ SOP-8
LM347MX 5871 NSC 11+ COMPENSACIÓN
LM3480IM3X-3.3 15676 TI 05+ SOT23-3

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