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MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A

MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A
MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247AC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed Drain Current:
200 A
Disipación de poder:
300 W
Factor que reduce la capacidad normal linear:
2,0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
±20 V
Sola energía de la avalancha del pulso:
560 mJ
Corriente de la avalancha:
50 A
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

MOSFET del poder de IRFP260NPbF HEXFET®

• ¿Tecnología de proceso avanzada?

• ¿Grado dinámico de dv/dt?

• ¿temperatura de funcionamiento 175°C?

• ¿Transferencia rápida?

• ¿Completamente avalancha clasificada?

• ¿Facilidad de ser paralelo a?

• Requisitos simples de la impulsión

• Sin plomo

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.

Grados máximos absolutos

Parámetro Máximo. Unidades
Identificación @ TC = 25°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 50
Identificación @ TC = 100°C Corriente continua del dren, VGS @ 10V 35
IDM Corriente pulsada del dren 200
Paladio @TC = 25°C Disipación de poder 300
Factor que reduce la capacidad normal linear 2,0 W/°C
VGS Voltaje de la Puerta-a-fuente ±20 V
EAS Sola energía de la avalancha del pulso 560 mJ
IAR ¿Corriente de la avalancha? 50
OÍDO ¿Energía repetidor de la avalancha? 30 mJ
dv/dt Recuperación máxima dv/dt del diodo 10 V/ns
TJ, TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a +175 °C
Temperatura que suelda, por 10 segundos 300 (1.6m m de caso) °C
Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 lbfïin 10 (el 1.1Nïm)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LM2662MX 5344 TI 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 TI 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 TI 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 TI 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 TI 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 EN 13+ COMPENSACIÓN
LM2902DR2G 77000 EN 15+ COMPENSACIÓN
LM2903DR2G 107000 EN 15+ COMPENSACIÓN
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 EN 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 TI 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 TI 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 EN 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 EN 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 EN 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 TI 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 TI 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

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