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Módulo P dual - canal, MOSFET del Mosfet del poder FDS6975 de PowerTrenchTM

Módulo P dual - canal, MOSFET del Mosfet del poder FDS6975 de PowerTrenchTM
Módulo P dual - canal, MOSFET del Mosfet del poder FDS6975 de PowerTrenchTM
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Drene actual - continuo:
-6 A
Disipación de poder para la operación dual:
2 W
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento:
°C -55 a 150
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

FDS6975 P-canal dual, nivel de la lógica, MOSFET de PowerTrenchTM

Descripción general

Estos MOSFETs del nivel de la lógica del P-canal se producen usando el proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener la carga baja de la puerta para el funcionamiento que cambia superior.

Estos dispositivos están bien adaptados para las aplicaciones informáticas de ordenador portátil: transferencia de la carga y gestión del poder, circuitos de la carga de batería, y conversión de DC/DC.

Características

• -6 A, -30 V. RDS (ENCENDIDO) = 0,032 W @ VGS = -10 V,

RDS (ENCENDIDO) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V.

• Carga baja de la puerta (14.5nC típico).

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO).

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual.

Grados máximos absolutos TA = 25℃ a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Grados Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente -30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ±20 V
Identificación

Drene actual - continuo (Nota 1a)

- Pulsado

 -6
-20
Paladio Disipación de poder para la operación dual 2 W

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento -55 a 150 °C

CARACTERÍSTICAS TERMALES

RθJA Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1a) 78 °C/W
RθJC Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 1) 40 °C/W

Notas:

1. RθJA es la suma del empalme-a-caso y de la resistencia termal caso-a-ambiente donde la referencia termal del caso se define como la superficie de montaje de la soldadura de los pernos del dren. RθJC es garantizado por diseño mientras que RθCA es determinado por el diseño del tablero del usuario.

2. Prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ 2,0% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
IRF3707PBF 6217 IR 11+ TO-220
IRF5210PBF 2546 IR 15+ TO-220
IRF5800TRPBF 54000 IR 16+ TSOP-6
IRF6218PBF 8426 IR 06+ TO-220AB
IRF640NPBF 5610 IR 15+ TO-220
IRF640NSTRLPBF 4905 IR 16+ TO-263
IRF6638TRPBF 4492 IR 13+ SMD
IRF7303TRPBF 15463 IR 14+ SOP-8
IRF7328TRPBF 6288 IR 13+ SOP-8
IRF740B 49000 FSC 16+ TO-220
IRF740PBF 11487 IR 16+ TO-220
IRF7416TRPBF 23190 IR 16+ SOP-8
IRF7494TRPBF 9525 IR 14+ SOP-8
IRF7907TRPBF 12836 IR 13+ SOP-8
IRF8010PBF 17656 IR 16+ TO-220
IRF840PBF 14327 VISHAY 16+ TO-220
IRF8788TRPBF 21214 IR 12+ SOP-8
IRF9530NPBF 5539 IR 16+ TO-220
IRF9620PBF 3435 VISHAY 13+ TO-220
IRF9Z24N 9496 IR 16+ TO-220
IRFB3004PBF 8497 IR 09+ TO-220
IRFB31N20D 6973 IR 14+ TO-220
IRFB3207ZPBF 16234 IR 15+ TO-220
IRFB3306PBF 7959 IR 13+ TO-220
IRFB4227PBF 14319 IR 16+ TO-220
IRFB4310PBF 7645 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 5199 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 4735 IR 16+ TO-220
IRFB52N15DPBF 7716 IR 15+ TO-220
IRFI4019HG-117P 4847 IR 14+ TO-220-5

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