Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor S-IGBT rápido del Mosfet del poder SGP02N120 en NPT-tecnología

Transistor S-IGBT rápido del Mosfet del poder SGP02N120 en NPT-tecnología

fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT NPT 1200 V 6,2 A 62 W a través del agujero PG-TO220-3-1
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
voltaje del Colector-emisor:
1200 V
Corriente de colector de DC:
6,2 A
Corriente de colector pulsada:
9,6 A
voltaje del Puerta-emisor:
±20 V
Disipación de poder:
62 W
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento:
-55… +150°C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120

S-IGBT rápido en NPT-tecnología

• el 40% un Eoff más bajo comparado a la generación anterior

• El cortocircuito soporta el tiempo – 10 µs

• Diseñado para:

- Controles de motor

- Inversor

- SMPS

• Ofertas de la NPT-tecnología:

- muy firmemente distribución del parámetro

- alta aspereza, comportamiento estable de la temperatura

- capacidad que cambia paralela

Grados máximos

Parámetro Símbolo Valor Unidad
voltaje del Colector-emisor VCE 1200 V

Corriente de colector de DC

TC = 25°C

TC = 100°C

IC

6,2

2,8

La corriente de colector pulsada, tp limitó por Tjmax ICpuls 9,6
Apague el ≤ 1200V, ≤ 150°C del área de funcionamiento seguro VCE de Tj 9,6
voltaje del Puerta-emisor VGE ±20 V
Energía de la avalancha, solo pulso IC = 2A, VCC = 50V, RGE = 25Ω, comienzo en Tj = 25°C EAS 10 mJ
El cortocircuito soporta el tiempo1) VGE = 15V, 100V ≤ 1200V, ≤ 150°C del ≤ VCC de Tj CAC 10 µs
Disipación de poder TC = 25°C Ptot 62 W
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento Tj, Tstg -55… +150 °C
Temperatura que suelda, 1.6m m (0,063 adentro.) del caso para 10s 260 °C

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 MICROCHIP 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 MICROCHIP 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 MICROCHIP 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 MICROCHIP 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 MICROCHIP 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 MICROCHIP 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 MICROCHIP 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 MICROCHIP 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 MICROCHIP 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 MICROCHIP 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 MICROCHIP 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 MICROCHIP 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 MICROCHIP 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 MICROCHIP 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 MICROCHIP 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 MICROCHIP 15+ INMERSIÓN
MCP3421AOT-E/CH 12828 MICROCHIP 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 MICROCHIP 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 MICROCHIP 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 MICROCHIP 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP42010-I/P 12118 MICROCHIP 16+ DIP-14
MCP4725AOT-E/CH 6616 MICROCHIP 15+ SOT23-5
MCP4728AOT-E/UN 4184 MICROCHIP 12+ MSOP

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs