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Transistor del Mosfet del poder de NJW0281G NJW0302G, transistores de poder de NPN PNP

Transistor del Mosfet del poder de NJW0281G NJW0302G, transistores de poder de NPN PNP
Transistor del Mosfet del poder de NJW0281G NJW0302G, transistores de poder de NPN PNP
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Orificio pasante TO-3P-3L
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Pyapal
Especificaciones
Collector-Emitter Voltage:
250 Vdc
Voltaje de la Colector-base:
250 VDC
voltaje de la Emisor-base:
5,0 VDC
Base Current:
1.5 Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C:
150 Watts
Operating and Storage Junction Temperature:
- 65 to +150 °C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Transistor del Mosfet del poder de NJW0281G NJW0302G, transistores de poder de NPN PNP

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 ST 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 MICROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MICROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANUNCIO 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANUNCIO 14+ COMPENSACIÓN
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MICROCHIP 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 ST 15+ COMPENSACIÓN
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANUNCIO 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MÓDULO
AD620AN 4162 ANUNCIO 14+ INMERSIÓN
AD8139ACPZ 4194 ANUNCIO 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ INMERSIÓN
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ INMERSIÓN
DF10S 4290 SEPT 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ INMERSIÓN
TMS320C50PQ80 4386 TI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

NJW0281G (NPN)

NJW0302G (PNP)

Transistores bipolares del poder complementario de NPN-PNP

15 AMPERIOS DEL SILICIO DE TRANSISTORES DE PODER COMPLEMENTARIOS 250 VOLTIOS, 150 VATIOS

Estos dispositivos complementarios son versiones de un poder más bajo los transistores de la salida audio popular de NJW3281G y de NJW1302G. Con linearidades del aumento y funcionamiento superiores del área de funcionamiento seguro, estos transistores son ideales para las etapas de alta fidelidad de la salida del amplificador audio y otros usos lineares.

Características

• Área de funcionamiento seguro excepcional

• Aumento de NPN/PNP que hace juego dentro del 10% a partir de 50 mA a 3 A

• Linearidades excelentes del aumento

• Alto BVCEO

• De alta frecuencia

• Éstos son dispositivos Pb-libres Bene

Ventajas

• Funcionamiento confiable en las mayores potencias

• Características simétricas en configuraciones complementarias

• Reproducción exacta de la señal entrada

• Mayor rango dinámico

• Alto App del ancho de banda del amplificador

Usos

• Productos de audio de gama alta del consumidor

* amplificadores caseros

* receptores caseros

• Amplificadores audios profesionales

* sistemas de sonido del teatro y del estadio

* sistemas de direcciones públicos (PAs) MAXIS

GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje del Colector-emisor VCEO 250 VDC
Voltaje de la Colector-base VCBO 250 VDC
Voltaje de la Emisor-base VEBO 5,0 VDC
Voltaje del Colector-emisor - 1,5 V VCEX 250 VDC

Corriente de colector - corriente de colector continua

- Pico (nota 1)

 IC

15

30

 ADC
Actual bajo - continuo IB 1,5 ADC
Disipación de poder total @ TC = 25°C Paladio 150 Vatios
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento TJ, Tstg - 65 a +150 °C

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

1. Prueba del pulso: Anchura de pulso = 5,0 ms, ciclo de trabajo < 10="">

DIMENSIONES DEL PAQUETE

TO-3P-3LD

CASO 340AB-01

PROBLEMA A

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