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MOSFET del canal N del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder FQP30N06

MOSFET del canal N del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder FQP30N06
MOSFET del canal N del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder FQP30N06
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-Source Voltage:
60 V
Gate-Source Voltage:
± 25 V
Sola energía pulsada de la avalancha:
280 mJ
Avalanche Current:
30 A
Repetitive Avalanche Energy:
7.9 mJ
Operating and Storage Temperature:
-55 to +175 °C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 MICROCHIP 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 MICROCHIP 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 MICROCHIP 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 MICROCHIP 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 MICROCHIP 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 MICROCHIP 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 MICROCHIP 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 MICROCHIP 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 MICROCHIP 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 MICROCHIP 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 MICROCHIP 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 MICROCHIP 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 MICROCHIP 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 MICROCHIP 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 MICROCHIP 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 MICROCHIP 15+ INMERSIÓN
MCP3421AOT-E/CH 12828 MICROCHIP 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 MICROCHIP 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 MICROCHIP 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 MICROCHIP 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 MICROCHIP 15+ SOP-8

FQP30N06

MOSFET del canal N 60V

Descripción general

Estos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, raya planar, tecnología de DMOS.

Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado, proporcionar funcionamiento que cambiaba superior, y soporta pulso de la alta energía en el modo de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para los usos de la baja tensión tales como convertidores automotrices, de la C.C. DC, y transferencia de la eficacia alta para la gestión del poder en productos portátiles y con pilas.

Características

• 30A, 60V, RDS (encendido) = 0.04Ω @VGS = 10 V

• Carga baja de la puerta (19 típicos nC)

• Crss bajo (40 típicos PF)

• Transferencia rápida

• la avalancha 100% probó

• Capacidad mejorada de dv/dt

• grado máximo de la temperatura de empalme 175°C

Grados máximos absolutos TC = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro FQP30N06 Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 60 V
Identificación

Drene actual - continuo (TC = 25°C)

- Continuo (TC = 100°C)

 30
21,3
IDM Drene actual - pulsado (la nota 1) 120
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ± 25 V
EAS Sola energía pulsada de la avalancha (nota 2) 280 mJ
IAR Corriente de la avalancha (nota 1) 30
OÍDO Energía repetidor de la avalancha (nota 1) 7,9 mJ
dv/dt Recuperación máxima del diodo dv/dt (nota 3) 7,0 V/ns
Paladio

Disipación de poder (TC = 25°C)

- Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 79 W
0,53 W/°C
TJ, TSTG Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento -55 a +175 °C
TL Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/8" de la ventaja del caso por 5 segundos 300 °C

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