Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Pulsed Drain Current:
80 A
Power Dissipation:
280 W
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 30 V
Recuperación máxima dv/dt del diodo:
6,9 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150°C
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| MMBT4403LT1G | 24000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5401LT1G | 27000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5550 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBT5551LT1G | 15000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT6427 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBTA06-7-F | 9000 | DIODOS | 15+ | SOT-23 |
| MMBTA13LT1G | 9000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| MMBTA14 | 6000 | FSC | 05+ | SOT23-3 |
| MMBTA42LT1G | 9000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5230BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5234BLT1G | 18000 | EN | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5248BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5257BLT1G | 18000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5V6ALT1G | 18000 | EN | 10+ | SOT-23 |
| MMSZ2V4T1G | 12000 | EN | 14+ | SOD-123 |
| MMSZ2V7T1G | 9000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ4681T1G | 12000 | EN | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4684T1G | 12000 | EN | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4689T1G | 9000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5234B-7-F | 12000 | DIODOS | 12+ | SOD-123 |
| MMSZ5243BT1G | 21000 | LRC | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ5250BT1G | 21000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5254BT1G | 9000 | EN | 14+ | SOD-323 |
| MMSZ5255B | 9000 | DIODOS | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ6V2T1G | 9000 | EN | 13+ | SOD-123 |
| MOC3022S-TA1 | 22000 | LITEON | 15+ | SMD |
| MOC3023M | 14343 | FSC | 16+ | DIP-6 |
| MOC3023SR2M | 7397 | FSC | 16+ | SOP-6 |
| MOC3023S-TA1 | 30000 | LITEON | 14+ | SMD-6 |
| MOC3030 | 6391 | FSC | 14+ | DIP-6 |
MOSFET de IRFB20N50KPbF SMPS
¿HEXFET? MOSFET del poder
Usos
- Fuente de alimentación del modo del interruptor (SMPS)
- Sistema de alimentación ininterrumpida
- Transferencia de alta velocidad del poder
- Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
- Sin plomo
Ventajas
- Resultados bajos de Qg de la carga de la puerta en el requisito simple de la impulsión
- Puerta, avalancha y aspereza mejoradas de Dynamicdv/dt
- Capacitancia y voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
- RDS bajo (encendido)
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
| Identificación @ TC = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 20 | |
| Identificación @ TC = 100°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 12 | |
| IDM | ¿Corriente pulsada del dren? | 80 | |
| Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 280 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 2,2 | W/°C | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 30 | V |
| dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo | 6,9 | V/ns |
|
TJ TSTG |
Empalme de funcionamiento y Gama de temperaturas de almacenamiento |
-55 a + 150 | °C |
| Temperatura que suelda, por 10 segundos (1.6m m de caso) | 300 | °C | |
| Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 | 10 | N |
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