Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC327-40
power mosfet ic
,silicon power transistors
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
ETC1.6-4-2-3TR | 4563 | M/A-COM | 15+ | SMD |
EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
EXCCET103U | 9515 | PANASONIC | 16+ | SMD |
EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | SORBO |
F65550B | 1918 | MICROPROCESADORES | 13+ | QFP |
FA5518N-A2-TE1 | 9586 | FUJITSU | 14+ | SOP-8 |
FAN1112DX | 20504 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FAN3225TMPX | 3081 | FAIRCHILD | 16+ | DFN-8 |
FAN3225TMX | 5365 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FAN6862TY | 13420 | FAIRCHILD | 16+ | SSOT-6 |
FAN9612MX | 7548 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
FCB11N60TM | 12339 | FAIRCHILD | 15+ | TO-263 |
FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | SOT-89 |
FDB3632 | 8071 | FAIRCHILD | 14+ | TO-263 |
FDC6330L | 7527 | FAIRCHILD | 04+ | SOT-163 |
FDC6420C | 20575 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-163 |
FDD4141 | 9286 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FDD850N10L | 20646 | FAIRCHILD | 11+ | TO-252 |
FDH055N15A | 7591 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
FDL100N50F | 3233 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
FDLL4148 | 25000 | FAIRCHILD | 15+ | LL34 |
FDMS3604S | 5436 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
FDMS86500L | 8142 | FAIRCHILD | 13+ | QFN-8 |
FDMS86520L | 7901 | FAIRCHILD | 15+ | QFN |
FDMS8672S | 6190 | FAIRCHILD | 16+ | QFN-8 |
FDMS8692 | 20717 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
Transistor de fines generales de BC327 PNP
CARACTERÍSTICAS
• De gran intensidad (máximo 500 mA)
• Baja tensión (máximo 45 V).
USOS
• Transferencia y amplificación de fines generales, etapas e.g del conductor y de la salida de amplificadores audios.
DESCRIPCIÓN
Transistor de PNP en un TO-92; Paquete plástico SOT54. Complemento de NPN: BC337.
VALORES LÍMITES
De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 134).
SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDAD |
VCBO | voltaje de la colector-base | emisor abierto | − | −50 | V |
VCEO | voltaje del colector-emisor | base abierta | − | −45 | V |
VEBO | voltaje de la emisor-base | colector abierto | − | −5 | V |
IC | corriente de colector (DC) | − | −500 | mA | |
ICM | corriente de colector máxima | − | −1 | ||
IBM | corriente baja máxima | − | −200 | mA | |
Ptot | disipación de poder total | °C del ≤ 25 de Tamb; nota 1 | − | 625 | mW |
Tstg | temperatura de almacenamiento | −65 | +150 | °C | |
Tj | temperatura de empalme | − | 150 | °C | |
Tamb | temperatura ambiente de funcionamiento | −65 | +150 | °C |
El transistor de la nota 1. montó en un tablero del circuito impreso FR4.
Fig.1 simplificó el esquema (TO-92; SOT54) y símbolo.

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
