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TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Estándar 600 V 16 A del TRIAC a través del agujero TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente del en-estado del RMS:
16 A
Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial:
168 A
Voltaje máximo del apagado-estado de la oleada no repetidor:
VDRM/VRRM + 100 V
Corriente de colector:
150 mA
Índice crítico de subida de la corriente del en-estado:
50 A/µs
Corriente máxima de la puerta:
4 A
Disipación de poder media de la puerta:
1 W
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

DESCRIPCIÓN

Disponible en paquetes del por-agujero o del superficie-soporte, la serie del triac BTA/BTB16 y T16 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de la calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos… o para la operación de control de la fase en los amortiguadores ligeros, reguladores de la velocidad del motor,…

Las versiones snubberless (la serie W y T16 de BTA/BTB…) se recomiendan especialmente para el uso en las cargas inductivas, gracias a sus altos funcionamientos de la conmutación. Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500V RMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).

Símbolo Valor Unidad
LAS TIC (RMS) 16
VDRM/VRRM 600, 700 y 800 V
IGT (Q1) 10 a 50 mA

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Fig. 1: Disipación de poder máxima contra la corriente del en-estado del RMS (ciclo completo).

Fig. 2-1: En-estado del RMS actual contra la temperatura de caso (ciclo completo).

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Imagen parte # Descripción
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