100V 80A, transistor del Mosfet del poder 9mз calificado a la capacidad FDB3632 del AEC Q101 UIS
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 100 V 12A (TA), 80A (Tc) 310W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drene al voltaje de la fuente:
100 V
Puerta al voltaje de la fuente:
±20 V
Continuo (T 80 A.C. < 111oC, VGS = 10V):
80A
Continuo (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W):
12 A
Sola energía de la avalancha del pulso (nota 1):
393 mJ
Disipación de poder:
310 w
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
FDB3632/FDP3632/FDI3632
MOSFET 100V, 80A, 9mΩ de PowerTrench® del canal N
Características
• rDS (ENCENDIDO) = 7.5mΩ (tipo.), VGS = 10V, identificación = 80A
• Qg (bebé) = 84nC (tipo.), VGS = 10V
• Miller Charge bajo
• Diodo bajo del cuerpo de QRR
• Capacidad de UIS (solo pulso y pulso repetidor)
• Calificado al tipo de desarrollo 82784 del AEC Q101 antes
Usos
• Convertidores de DC/DC y UPS off-line
• Arquitecturas distribuidas y VRMs del poder
• Interruptor primario para los sistemas 24V y 48V
• Rectificador síncrono de alto voltaje
• Inyección directa/sistemas de inyección diesel
• control de carga automotriz 42V
• Sistemas electrónicos del tren de válvula
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