Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial SOT-223 del P-canal 50 V 1A 1.8W
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Línea principal:
Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
Características:
Canal de P
Features2:
Modo del aumento
Features3:
• Nivel de la lógica
Features4:
VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
Paquete:
SOT-23
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal
• Canal de P
• Modo del aumento
• Nivel de la lógica
• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V
voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS = ƒ (Tj)
Impedancia termal transitoria Zth JA = parámetro del ƒ (tp): D = tp/T
Grados máximos
| Parámetro | Símbolo | Valores | Unidad |
| Drene el voltaje de la fuente | VDS | -50 | V |
|
voltaje de la Dren-puerta RGS = kΩ 20 |
VDGR | -50 | |
| Voltaje de fuente de puerta | VGS | ± 20 | |
|
Corriente continua del dren TA = °C 39 |
Identificación | -1,1 | |
|
Dren de DC actual, pulsado TA = °C 25 |
IDpuls | -4,4 | |
|
Disipación de poder TA = °C 25 |
Ptot | 1,8 | W |
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