Amplificador de fines generales del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet del poder
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW a través del agujero TO-92-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Features2:
• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)
Características:
• Voltaje del Colector-emisor: VCEO= 60V
Features3:
• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4:
• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5:
• Disponible como PN2907A
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder
Características
• Voltaje del Colector-emisor: VCEO= 60V
• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)
• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
• Disponible como PN2907A
Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | -60 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -60 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
| IC | Corriente de colector | -600 | mA |
| TJ | Temperatura de empalme | +150 | °C |
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