Poder complementario Ttransistors BD139 del silicio
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1,5 A W 1,25 a través del agujero SOT-32-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
80V
voltaje del Colector-emisor:
80V
voltaje de la Emisor-base:
5V
Corriente de colector:
1.5A
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
Poder complementario Ttransistors BD139/BD140 del silicio
DESCRIPCIÓN
Intented para el uso en amplificador de potencia y usos que cambian.
| Parámetro | l | Valor | Unidad |
| Voltaje de la Colector-base | VCBO | 80 | V |
| Voltaje del Colector-emisor | VCEO | 80 | V |
| Voltaje de la Emisor-base | VEBO | 5 | V |
| Corriente de colector | IC | 1,5 | |
| Corriente baja | IB | 0,5 | |
| Disipación total en | Ptot | 12,5 | W |
| Temperatura de empalme de Max. Operating | Tj | 150 | Oc |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55~150oC | Oc |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCB =80V, IE =0 | -- | -- | 10 | UA |
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB =5V, IC =0 | -- | -- | 10 | UA |
| Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor | VCEO | IC =30MA, IB =0 | 80 | -- | -- | V |
| Aumento actual de DC |
hFE (1) hFE (2) |
VCE =2V, IC =0.5A VCE =2V, IC =150MA |
25 40 |
-- -- |
-- 250 |
|
| Voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (se sentó) | IC =0.5A, IB =50MA | -- | -- | 0,5 | V |
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (se sentó) | VCE =2V, IC =0.5A | -- | -- | 1,0 | V |
| Producto del ancho de banda del aumento actual | pie | VCE =10V, IC =500MA | 3 | -- | -- | Megaciclo |
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