Transistores P del mosfet del poder más elevado SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
fabricante:
Fabricante
Descripción:
P-canal 20 V 3.1A (Tc) 860mW (TA), 1.6W (Tc) soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Vds:
- 20 V
Vgs:
± 8 V
Identificación:
-3,1 A
DM:
- 10 A
es:
-3,1 A
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
MOSFET del P-canal 20-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
• opción Halógeno-libre disponible
• MOSFET del poder de TrenchFET®
USOS
• Interruptor de la carga
| RESUMEN DEL PRODUCTO DEL MOSFET | |||
| VDS (v) | RDS (encendido) (Ω) | Identificación (A) a | Qg (tipo.) |
| - 20 | 0,112 en VGS = - 4,5 V | - 3,1 | 3,3 nC |
| 0,142 en VGS = - 2,5 V | - 2,7 | ||
°C TÍPICO de las CARACTERÍSTICAS 25, a menos que se indicare en forma diferente
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