Puerta sensible del poder del Mosfet del transistor BT136-600E de los triac complementarios del tiristor
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Lógica del TRIAC - puerta sensible 600 V 4 A a través del agujero TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal,
Especificaciones
Descripción:
Vidrio apaciguado, triac sensibles de la puerta
Voltaje máximo repetidor del apagado-estado:
600 V
Corriente media del en-estado:
4 A
Corriente máxima sin repetición del en-estado:
25A
Temperatura de almacenamiento:
-45~150 ℃
Paquete:
TO-220AB
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Puerta sensible del poder del Mosfet del transistor BT136-600E de los triac complementarios del tiristor
Características del
·Con el paquete de TO-220AB
·El vidrio apaciguó, los triac sensibles de la puerta en un sobre plástico, previsto para el uso en los usos bidireccionales de fines generales del control de la transferencia y de fase, donde la alta sensibilidad se requiere en los cuatro cuadrantes.
DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | VALOR | UNIDAD |
| VDRM | Voltaje máximo repetidor del apagado-estado | 600 | V |
| VRRM | Voltaje máximo repetidor del apagado-estado | 600 | V |
| LAS TIC (SISTEMA DE PESOS AMERICANO) | Corriente media del en-estado | 4 | |
| ITSM | Corriente máxima sin repetición del en-estado | 25 | |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -45~150 |
TIPO DE CONEXIÓN SÍMBOLO
Puerta sensible de la serie E de los triac BT136
DATOS MECÁNICOS
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