Transistor del Mosfet del poder de HEXFET, módulo IRF7329TRPBF del mosfet del poder
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor del Mosfet del poder de HEXFET, módulo IRF7329 del mosfet del poder
¿? ¿Tecnología del foso?
En-resistencia ultrabaja
¿? MOSFET dual del P-canal
¿?
Perfil bajo (<1>
¿Disponible en cinta y carrete?
Sin plomo
Descripción
Los nuevos MOSFETs del poder del P-canal HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con el diseño construido sólidamente del dispositivo para el cual los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos. El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que lo hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para la fase de vapor, el infrarrojo, o la técnica que suelda de la onda
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
| VDS | Voltaje de la fuente del dren | -12 | V |
| Identificación @ TA = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V | -9,2 | |
| Identificación @ TA= 70°C | Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V -7,4 | -7,4 | |
| IDM | ¿Corriente pulsada del dren? | -37 | |
| Paladio @TA = 25°C | ¿Disipación de poder? | 2,0 | W |
| Paladio @TA = 70°C | ¿Disipación de poder? | 1,3 | |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 16 | mW/°C | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 8,0 | V |
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento | -55 a + 150 | °C |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC