GaAs Ired del transistor del Mosfet del poder TLP734 nuevo y original y transistor de la foto
power mosfet ic
,silicon power transistors
Photocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP733, TLP734
Máquina de oficina
Equipo del uso del hogar
Retransmisión de estado sólido
Fuente de alimentación que cambia
TOSHIBA TLP733 y TLP734 consiste en un photo−transistor ópticamente juntado a un diodo de emisión infrarrojo del arseniuro de galio en la INMERSIÓN plástica de seis ventajas.
TLP734 es conexión interna del no−base para los ambientes del high−EMI.
- Voltaje de Collector−emitter: ¿55 V (mínimos)?
- Ratio de transferencia actual: el 50% (mínimo)
- Fila GB: ¿100% (mínimo)?
- La UL reconoció: ¿UL1577, no. E67349 del fichero?
- El BSI aprobó: BS EN60065: 1994
- No. 7364 del certificado
- BS EN60950: 1992
- ¿No. 7365 del certificado?
- SEMKO aprobó: SS4330784
- ¿No. 9325163, 9522142 del certificado?
- Voltaje del aislamiento: ¿4000 Vrms (mínimo)?
- Tipo de la opción (D4)
- El VDE aprobó: ESTRUENDO VDE0884/06,92,
- No. 74286, 91808 del certificado
- Voltaje de funcionamiento máximo del aislamiento: 630, 890 VPK
- Lo más arriba posible permitido sobre voltaje: 6000, 8000 VPK
- El VDE aprobó: ESTRUENDO VDE0884/06,92,
(Nota) cuando un VDE0884 aprobó el tipo es necesario, señala por favor la “opción (D4)”
echada de 7,62 milímetros echada de 10,16 milímetros
de tipo standard ¿Tipo de TLP×××F?
Distancia de contorneamiento : 7,0 milímetros (de mínimo) 8,0 milímetros (de mínimo)
Liquidación : 7,0 milímetros (de mínimo) 8,0 milímetros (de mínimo)
Trayectoria interna del contorneamiento : 4,0 milímetros (de mínimo) 4,0 milímetros (de mínimo)
Grueso del aislamiento : 0,5 milímetros (de mínimo) 0,5 milímetros (de mínimo)
Grados máximos (TA = 25°C)
| Característica | Símbolo | Grado | Unidad | |
| LED | Corriente delantera | SI | 60 | mA |
| El reducir la capacidad normal actual delantero (≥ de TA 39°C) | ∆IF/°C | ¿? -0,7 | mA/°C | |
| Pico adelante actual (pulso de 100 µs, 100 pps) | IFP | 1 | ||
| Voltaje reverso | VR | 5 | V | |
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | |
| Detector | ¿Colector? voltaje del emisor | VCEO | 55 | V |
| ¿Colector? voltaje bajo (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
| ¿Emisor? voltaje de colector | VECO | 7 | V | |
| ¿Emisor? voltaje bajo (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
| Corriente de colector | IC | 50 | mA | |
| Disipación de poder | PC | 150 | mW | |
| Disipación de poder que reduce la capacidad normal (≥ de TA 25°C) | ∆PC/°C | -1,5 | mW/°C | |
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | ¿-? 55~125 | °C | |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | Topr | ¿? -40~100 | °C | |
| Temperatura que suelda de la ventaja (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
| Disipación de poder total del paquete | Pinta | 250 | mW | |
| Disipación de poder total del paquete que reduce la capacidad normal (≥ de TA 25°C) | ∆PT/°C | -2,5 | mW/°C | |
| Voltaje del aislamiento (CA, 1 mínimo, R.H.≤ los 60%) | BVS | 4000 | Vrms | |
Peso: 0,42 g
Pin Configurations (visión superior)
TLP733
1: Ánodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emisor 5: Colector 6: Base
TLP734
1: Ánodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emisor 5: Colector 6: Nc
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC