El transistor linear 2N5458 JFETs del Mosfet del poder llevó los chips CI de las televisiones
multi emitter transistor
,silicon power transistors
El transistor linear 2N5458 JFETs del Mosfet del poder llevó los chips CI de las televisiones
Agotamiento de fines generales del − de N−Channel del − de JFETs
Transistores de efecto de campo de empalme de N−Channel, modo de agotamiento (tipo A) diseñado para los usos audios y que cambian.
Características
• N−Channel para un aumento más alto
• Dren y fuente permutables
• Alta impedancia de entrada de la CA
• Alta resistencia de entrada CC
• Transferencia baja y capacitancia entrada
• Distorsión baja de Cross−Modulation y de intermodulación
• Paquete encapsulado plástico de Unibloc • Los paquetes de Pb−Free son Available*
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje de Drain−Source | VDS | 25 | VDC |
| Voltaje de Drain−Gate | VDG | 25 | VDC |
| Voltaje reverso de Gate−Source | VGSR | −25 | VDC |
| Corriente de la puerta | IG | 10 | mAdc |
| La disipación total del dispositivo @ TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C | Paladio | 310 2,82 | mW mW/°C |
| Temperatura de empalme de funcionamiento | TJ | 135 | °C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | −65 a +150 | °C |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo
INFORMACIÓN EL ORDENAR
Envío del paquete del dispositivo
unidades/caja de 2N5457 TO−92 1000
unidades/caja de 2N5458 TO−92 1000
2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 unidades/caja
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC