Transistor NPN del Mosfet del poder BFR520 transistor de la banda ancha de 9 gigahertz
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial SC-75 del transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW del RF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
20 V
voltaje del Colector-emisor:
15 V
Corriente de colector de DC:
70 mA
Disipación de poder total:
300 mW
capacitancia de reacción:
0,4 PF
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
NPN transistor de la banda ancha de 9 gigahertz BFR520
CARACTERÍSTICAS
• Aumento del poder más elevado
• Figura de poco ruido
• Alta frecuencia de la transición
• La metalización del oro asegura confiabilidad excelente.
DESCRIPCIÓN
El BFR520 es un transistor epitaxial planar del silicio del npn, previsto para los usos en el RF anticipado en usos de la banda ancha en la gama del gigahertz, tal como teléfonos portátiles análogos y digitales, teléfonos inalámbricos (CT1, CT2, DECT, etc.), detectores del radar, paginadores y sintonizadores de tv por satélite (SATV) y amplificadores del repetidor en sistemas fibroópticos. El transistor se encapsula en un sobre plástico SOT23
VALORES LÍMITES
De acuerdo con el sistema máximo absoluto (IEC 134).
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDAD |
| VCBO | voltaje de la colector-base | emisor abierto | − | 20 | V |
| VCES | voltaje del colector-emisor | RBE = 0 | − | 15 | V |
| VEBO | voltaje de la emisor-base | colector abierto | − | 2,5 | V |
| C DC | corriente de colector | − | 70 | mA | |
| Ptot | disipación de poder total | hasta Ts = °C 97; nota 1 | − | 300 | mW |
| Tstg | temperatura de almacenamiento | −65 | 150 | °C |
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