Transistor (Npn) para los usos generales del Af, alta corriente de colector Bc817-40
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor del AF del silicio de NPN
• Para los usos generales del AF
• Alta corriente de colector
• Aumento de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor
• Tipos complementarios: BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• (RoHS obediente) package1 Pb-libres)
• Calificado acordando AEC Q101
GRADOS MÁXIMOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | 50 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 45 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 5 | V |
IC | Corriente de colector - continua | 0,5 | |
PC | Disipación de poder del colector | 0,3 | W |
Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | ℃ |
Características típicas