Transistor (Npn) para los usos generales del Af, alta corriente de colector Bc817-40
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
50 V
voltaje del Colector-emisor:
45 V
voltaje de la Emisor-base:
5 V
Corriente de colector - continua:
0,5 A
Disipación de poder del colector:
0,3 W
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Transistor del AF del silicio de NPN
• Para los usos generales del AF
• Alta corriente de colector
• Aumento de gran intensidad
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor
• Tipos complementarios: BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• (RoHS obediente) package1 Pb-libres)
• Calificado acordando AEC Q101
GRADOS MÁXIMOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 50 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 45 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 5 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 0,5 | |
| PC | Disipación de poder del colector | 0,3 | W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | ℃ |
Características típicas
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