Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N del transistor del Mosfet del poder de AO3400A
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 de la superficie 1.4W (TA) del canal N 30 V 5.7A (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Payapl
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
30 voltios
Voltaje de la Puerta-fuente:
±12 V
Dren pulsado B actual:
25A
Dren continuo:
TA=25°C
Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento:
-55 a 150°C
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
AO3400A
Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
Descripción general
El AO3400A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM. El producto estándar AO3400A es Pb-libre (las reuniones ROHS y Sony 259 especificaciones).
Características
VDS (v) = 30V
Identificación = 5.7A (VGS = 10V)
RDS (ENCENDIDO) < 26="">
RDS (ENCENDIDO) < 32m="">
RDS (ENCENDIDO) < 48m="">
| Características termales | |||||
| Parámetro | Símbolo | Tipo | Máximo | Unidades | |
| A Empalme-a-ambiente máxima | ≤ 10s de t | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| A Empalme-a-ambiente máxima | De estado estacionario | 100 | 125 | °C/W | |
| Empalme-a-ventaja máxima C | De estado estacionario | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
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