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Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder IRFR9214

Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder IRFR9214
Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder IRFR9214
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte D-Pak de la superficie 50W (Tc) del P-canal 250 V 2.7A (Tc)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VDS (v):
-250
RDS (encendido) (Ω):
VGS = - 10 V /3.0
Qg (máximo) (nC:
14
Qgs (nC):
3,1
Qgd (nC):
6,8
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

LISTA COMÚN

NC7SZ04M5X 5000 FAIRCHILD 15+ SOT23-5
PCA82C251 5000 12+ SOP-8
PZTA42T1G 5000 EN 16+ SOT223
RBV5006 5000 EIC 12+ RBV-4
RUEF250 5000 RAYCHEM 16+ INMERSIÓN
ST3232ECDR 5000 ST 16+ SOP-16
SW-289 5000 MA/COM 16+ SOP14
TL072CDR 5000 TI 16+ SOP8
TL7705BCP 5000 TI 16+ SOP8
TPS2041BDBVR 5000 TI 14+ SOT23-5
TPS5430DDAR 5000 TI 16+ SOP8
TCT DE UCLAMP0511P 5000 SEMTECH 16+ MICREL
ULN2003ADRG3 5000 TI 15+ SOP16
SN75C1406N 5002 TI 16+ SOP-16
B340A-13-F 5008 DOIDES 15+ SMA
REG1117-3.3 5008 BB 12+ SOT223
SST25VF032B-80-4I-S2AF 5010 SST 16+ SOP8
TPS79730DCKR 5018 TI 12+ SC70-5
2SC3355 5100 NEC 16+ TO-92
DAC0808LCN 5100 NSC 16+ DIP16
FDS4435 5100 FAIRCHILD 16+ SOP-8
LT1963EST-2.5 5100 LT 16+ SOT-223
X5045P 5100 XICOR 16+ DIP8
DAC7554IDGS 5110 TI 14+ MSOP-10
AM26LV32IDR 5120 TI 16+ SOP16
CS51412EDR8G 5120 EN 16+ SOP8
LM2940T-12 5120 NS 15+ TO-220
LM6132BIMX 5120 NS 16+ SOP8
RC5057M 5120 FAIRCHILD 15+ SOP16
SN75ALS180DR 5120 TI 12+ SOP-14
UGN3503UA 5120 ALLEGRO 16+ TO-92
BD241C 5123 FSC 12+ TO-220

IRFR9214

Mosfet de fines generales del mosfet del poder linear del MOSFET del poder

CARACTERÍSTICAS

• P-canal

• Soporte superficial (IRFR9214/SiHFR9214)

• Ventaja recta (IRFU9214/SiHFU9214)

• Tecnología de proceso avanzada

• Transferencia rápida

• Completamente avalancha clasificada

• Ventaja (Pb) - disponible libre

DESCRIPCIÓN

Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos. El DPAK se diseña para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU/SiHFU) está para el montaje del por-agujero

usos. Niveles hasta 1,5 W de la disipación de poder

sea posible en usos superficiales típicos del soporte.

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