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La salida del fototransistor del transistor del Mosfet del poder del acoplador óptico de SFH6206-2T, CA entró la placa de circuito Ic

La salida del fototransistor del transistor del Mosfet del poder del acoplador óptico de SFH6206-2T, CA entró la placa de circuito Ic
La salida del fototransistor del transistor del Mosfet del poder del acoplador óptico de SFH6206-2T, CA entró la placa de circuito Ic
fabricante:
Fabricante
Descripción:
El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 1 el canal 4-SMD
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente directa de CC:
± 60 mA
Afloje adelante actual:
± 2,5 A
Disipación de poder:
100 mW
Voltaje del emisor del colector:
70 V
Voltaje de colector del emisor:
7 V
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

SFH6206-2T

El acoplador óptico, salida del fototransistor, CA entró la placa de circuito ic

CARACTERÍSTICAS

• Buenas linearidades del CTR dependiendo de la corriente delantera

• Voltaje de la prueba del aislamiento, 5300 VRMS

• Alto voltaje del emisor del colector, VCEO = 70 V

• Voltaje de saturación bajo

• Épocas que cambian rápidas

• Degradación baja del CTR

• Establo de la temperatura

• Capacitancia de acoplamiento baja

• Fin-apilable, 0,100" espaciamiento (2,54 milímetros)

• Alta inmunidad de interferencia del común-modo

• Obediente al directorio de RoHS a 2002/95/EC y del acuerdo WEEE 2002/96/EC

DESCRIPCIÓN

La característica SFH620A (INMERSIÓN) y SFH6206 (SMD) un ratio de gran intensidad de la transferencia, una capacitancia de acoplamiento baja y un alto voltaje del aislamiento. Estos acopladores tienen un emisor infrarrojo del diodo del GaAs, que ópticamente se junta a un detector planar del fototransistor del silicio, y se incorporan en un paquete plástico de DIP-4 o de SMD

Los dispositivos de acoplamiento se diseñan para la transmisión de la señal entre dos circuitos eléctricamente separados. Los acopladores son fin-apilables con 2,54 milímetros de espaciamiento de la ventaja. Las distancias del contorneamiento y de la liquidación de > 8 milímetros se alcanzan con la opción 6. Esta versión cumple con IEC 60950 (VDE 0805 del estruendo) para el aislamiento reforzado a un voltaje de la operación de 400 VRMS o de DC.

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS (Tamb = °C 25, salvo especificación de lo contrario)

LISTA COMÚN

GP2D12J0000F 3460 SOSTENIDO 16+ DIP-3
F9222L 1950 FUJI 13+ ZIP-13
AT25256AN-10SU-2.7 2300 ATMEL 15+ COMPENSACIÓN
AT91SAM7S64C-AU 2500 ATMEL 15+ QFP64
AD7276BUJZ 2450 ANUNCIO 16+ SOT23-6
GP2D120XJ00F 3460 SOSTENIDO 15+ INMERSIÓN
DS96176CN 4080 NSC 16+ DIP-8
AT24C512C-SSHD-T 2300 ATMEL 14+ COMPENSACIÓN
DM7407N 7620 NSC 15+ DIP-14
HD74LS240P 1520 GOLPEE 16+ INMERSIÓN
CD4538BE 6025 TI 13+ INMERSIÓN
DS1844-050 5430 MÁXIMA 16+ TSSOP20
AT91SAM7S256-AU 2500 ATMEL 15+ QFP64
CY7C1370D-167AXIT 2800 CYPRESS 15+ QFP100
CY2305SXI-1HT 3150 CYPRESS 15+ SOP-8
CYP15G0101DXB-BBI 2425 CYPRESS 15+ BGA
HCF4011M013TR 3460 ST 14+ COMPENSACIÓN
FDC6330L 1950 FSC 15+ SOT-163
FDS5690-NL 2200 FSC 15+ SOP-8
ATTINY26L-8SU 2500 ATMEL 16+ SOP-20
ADS1100A5IDBVT 2000 TI 15+ SOT23-6
ADM233LJN 2000 ANUNCIO 16+ INMERSIÓN
HBAT-540C-TR1G 3460 AVAGO 15+ SOT-323
HCPL-063L-500E 3460 AVAGO 15+ COMPENSACIÓN
ILX526A 1780 SONY 15+ DIP-22
FM1808-70-SG 2200 RAMTRON 16+ SOP-28
AM29F160DB-75EI 1600 AMD 15+ TSOP48
AM29F040B-90PI 1600 AMD 16+ DIP-32
AT93C56A-10SU-2.7 2500 ATMEL 16+ SOP-8
FS6R06VE3-B2 780 EUPEC 13+ MÓDULO
78Q2123R/F 10000 TERIDIAN 16+ QFN32
DP83816AVNG 7200 NSC 13+ QFP144
AT45DB011D-SH-T 2300 ATMEL 13+ SOP-8
DP83848JSQ 7080 NSC 16+ LLP-40
AM79C02AJC 1600 AMD 15+ PLCC44
CY2DL814ZIT 3125 CYPRESS 15+ TSSOP
ADP3168JRUZ 2000 ANUNCIO 16+ TSSOP-28
HD6350P 1520 GOLPEE 13+ INMERSIÓN
BTB12-600BRG 2100 ST 14+ TO-220
AD7821KR 2450 ANUNCIO 16+ SOP-20
BS62LV4006SIP55 2100 BSI 14+ SOP-32
3006P-1-102 3000 BOURNS 16+ DIP-3

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