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Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 de la superficie 300mW (TA) del canal N 60 V 500mA (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
60 V
Voltaje de la Dren-puerta (RGS < 1MW):
60 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
± 20 V
Drene actual - continuo:
500 mA
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento:
°C -55 a 150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

BS170/MMBF170

Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Descripción general

Estos transistores de efecto de campo del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Estos productos se han diseñado para minimizar rato de la resistencia del en-estado proporcionan funcionamiento que cambiaba rugoso, confiable, y rápido. Pueden ser utilizados en la mayoría de los usos que requieren hasta 500mA DC. Estos productos se adaptan particularmente para la baja tensión, los usos de poca intensidad tales como pequeño control de motor servo, los conductores de la puerta del MOSFET del poder, y otros usos que cambian.

Características

  • Diseño de alta densidad de la célula para el RDS bajo (ENCENDIDO).
  • Interruptor controlado de la señal del voltaje pequeño.
  • Rugoso y confiable.
  • Alta capacidad de la corriente de saturación.

Grados máximos absolutos TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro BS170 MMBF170 Unidad
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 60 V
VDGR Voltaje de la Dren-puerta (RGS< 1MW=""> 60 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ± 20 V
Identificación

Drene actual - continuo

- Pulsado

 500 500 mA
1200 800 mA
Paladio

Disipación de poder máxima

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 830 300 mW
6,6 2,4 mW/°C
TJ, TSTG Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento -55 a 150 °C
TL Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/16 de la ventaja” del caso por 10 segundos 300 °C
CARACTERÍSTICAS TERMALES
RθJA Resistacne termal, Empalme-a-ambiente 150 417 °C/W

Circuito de la prueba que cambia. Formas de onda que cambian.

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