Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Tiempo continuo Hall Effect Sensors linear radiométrico del transistor del Mosfet del poder de A1302KUA

Tiempo continuo Hall Effect Sensors linear radiométrico del transistor del Mosfet del poder de A1302KUA

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Hall Effect Sensor Single Axis 3-SIP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente, VCC:
8 V
Voltaje de salida, VOUT:
8 V
Voltaje de la Reverso-fuente, VRCC.:
– 0,1 V
Voltaje de la Reverso-salida, VROUT:
– 0,1 V
Corriente del fregadero de la salida, IOUT:
10 mA
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Tiempo continuo Hall Effect Sensors linear radiométrico del transistor del Mosfet del poder de A1302KUA


Características y ventajas

¿? ¿Salida de poco ruido?

►¿Ayune poder-en tiempo?

►¿Salida radiométrica del carril-a-carril?

►¿operación V 4,5 a 6,0?

►¿Confiabilidad de estado sólido?

►¿Fábrica-programado en la fin-de-línea para el funcionamiento óptimo?

►Funcionamiento robusto del ESD

Los A1301 y los A1302 son continuo-tiempo, sensores de effecto hall radiométricos, lineares. Se optimizan para proporcionar exactamente una salida del voltaje que sea proporcional a un campo magnético aplicado. Estos dispositivos tienen un voltaje de salida quieto que sea los 50% del voltaje de fuente. Se proporcionan dos opciones de la sensibilidad de la salida: 2,5 mV/G típicos para el A1301, y 1,3 mV/G típicos para el A1302.

El circuito integrado de effecto hall incluido en cada dispositivo incluye un elemento de detección de Pasillo, un amplificador linear, y un Cmos clasifica una estructura de la salida. La integración del elemento de detección de Pasillo y del amplificador en un solo microprocesador minimiza muchos de los problemas asociados normalmente a las señales analógicas del nivel voltaico bajo.

La alta precisión en niveles de producción es obtenida por los ajustes internos del ajuste del aumento y de la compensación hechos en la fin-de-línea durante el proceso de fabricación.

Estas características hacen el A1301 y el A1302 ideales para el uso en sistemas de la detección de posición, para ambos movimiento de la blanco linear y movimiento rotatorio de la blanco. Están bien adaptadas para los usos industriales extendieron demasiado las gamas de temperaturas, – de 40°C a 125°C.

LISTA COMÚN


LM340S-12 4220 NSC 14+ TO-263
MC74ACT125N 5212 EN 10+ INMERSIÓN
PIC18F4685-I/P 4378 MICROCHIP 16+ TQFP
PIC12F1822T-I/MF 5483 MICROCHIP 11+ QFN
PESD5VOL2BT 40000 16+ BORRACHÍN
NTGS5120PT1G 30000 EN 16+ SOT-23
LNBTVS3-220U 10000 ST 15+ SMD
LM2931CDR2G 8876 EN 11+ SOP-8
LP3966ESX-ADJ 2922 NSC 14+ TO-263
MAX4624EZT 14150 MÁXIMA 16+ BORRACHÍN
M25PE10-VMN6TP 4257 ST 12+ COMPENSACIÓN
OP290GP 6160 ANUNCIO 16+ INMERSIÓN
NTLJF4156NT1G 4780 EN 16+ WDFN-6
ADSP-BF518BSWZ-4F4 2000 ANUNCIO 14+ QFP-176
BGD802 210 PHI 15+ SOT115
AT45DB021D-SH-T 2300 ATMEL 15+ SOP-8
ADP1712AUJZ-R7 2000 ANUNCIO 16+ SOT23-5
DS1832S+T 5460 MÁXIMA 15+ SOP-8
HT12A 1520 HOLTEK 15+ SOP/DIP
B360A-13-F 2300 DIODOS 15+ SMA
MBRM120LT3 38000 EN 16+ CÉSPED
OPA333AIDBVR 7360 TI 16+ SOT23-5
OPA2333AIDGKR 6880 TI 16+ MSOP
LMH0040SQE/NOPB 1375 TI 15+ WQFN-48
PIC16F685-I/SS 5068 MICROCHIP 16+ SSOP
CLC007BMA 1618 NSC 10+ SOP8
LTC3405AES6 6818 LINEAR 16+ BORRACHÍN
LM7805S 4940 NSC 15+ TO-262
PIC16C715-04I/SO 5348 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
MCP6041T-I/OT 5488 MICROCHIP 16+ SOT23-5
NC7SZ74K8X 10000 FAIRCHILD 16+ VSSOP
XC3S500E-4CPG132I 100 XILINX 15+ BGA
MIC38C43YM 6478 MICREL 16+ SOP-8
M27C2001-70XF1 4075 ST 15+ INMERSIÓN
MC34063ACD 10000 ST 16+ INMERSIÓN
AZC199-04S.R7G 12000 EL SORPRENDER 15+ SOT23-6
MX29LV040QC-70 10200 MXIC 10+ PLCC
LM2907N-8 3421 NSC 13+ DIP-8
PMBT2907A 600000 15+ SOT-23
PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs