Electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor del Mosfet del poder de IRLR2905TRPBF TO-252
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor del Mosfet del poder de IRLR2905TRPBF TO-252
IRLR2905TRPBF
±15kV ESD protegió, +3V a +5.5V, 1Microamp, 250kbps, transmisores RS-232/receptores
¿Impulsión de la puerta del Lógica-nivel?
¿En-resistencia ultrabaja?
¿Soporte superficial (IRLR2905)?
¿Ventaja recta (IRLU2905)?
Tecnología de proceso avanzada
¿Transferencia rápida? Completamente avalancha clasificada
Sin plomo
Descripción
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en una amplia variedad de usos. El D-PAK se diseña para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para el por-agujero que monta usos. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.
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¿??????????????? ¿????????????? Maxim Rating absoluto
Corriente continua del dren TC = 25°C, identificación 10V 42 de VGS @ @ TC = 100°C
Corriente continua del dren, VGS @ 10V 30 A
IDM pulsados drenan el paladio actual 160 @TC = 25°C
El reducir la capacidad normal linear de la disipación de poder 110 W descompone en factores 0,71 W/°C
± 16 V del voltaje de la Puerta-a-fuente de VGS
¿Sola energía de la avalancha del pulso de EAS? 210 mJ
Corriente 25 de la avalancha de IAR un OÍDO repetidor
¿Recuperación dv/dt del diodo del pico del mJ dv/dt de la energía 11 de la avalancha? 5,0 V/ns
Empalme de funcionamiento y -55 de TJ a + 175
Gama de temperaturas de almacenamiento de TSTG
Temperatura que suelda, para 10 el °C de los segundos 300 (1.6m m de caso)
Una parte de la lista común
| INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
| INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
| C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | LINEAR | LTC4 | SOT23-5 |
| C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | LINEAR | LTD6 | SOT23-5 |
| C.I SN74HC273DWR | TI | 87D71RK/85FKF2K | SOP-20 |
| RES 0R el 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| RES 49R9 el 1% RC0805FR-0749R9L |
YAGEO | 1639 | SMD0805 |
| RES 6K8 el 1% RC0805FR-076K8L |
YAGEO | 1633 | SMD0805 |
| RES 0R el 5% RC0603JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0603 |
| CASQUILLO 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| DIODO B330A-13-F | DIODOS | 1522/B330A | SMA |
| C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | DIP-18 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| C.I CD4052BM96 | TI | 69P1HQA | SOP-16 |
| RES 1210 220R el 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
| RES 1210 330R el 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
| CASQUILLO 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
| RES 0805 1K5 el 1% RC0805FR-071K5L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| RES 0805 3K3 el 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| C.I SN74LS373N | TI | 1606+5 | DIP-20 |
| OPTOACOPLADOR LOS 4N25M | FSC | 629Q | DIP-6 |
| RES 0805 4K7 el 5% RC0805JR-074K7L |
YAGEO | 1642 | SMD0805 |
| RES 0805 4K99 el 1% RC0805FR-074K99L |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| RES 0805 75R el 1% RC0805FR-0775RL |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| NPO 08055A221JAT2A del CASQUILLO 0805 220PF 50V | AVX | 1633 | SMD0805 |
| C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
| C.I LM336D-2.5 | TI | 336-25/68MA6EG. | SOP-8 |
| C.I TPS61041DBVR | TI | PHPI | SOT23-5 |
| DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | DO-41 |
| CONVERTIDOR DE C.I MCP3201-CI/P |
MICROCHIP | 1621SOD | DIP-8 |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC