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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Alto voltaje octal de ULN2803AFWG, transistor de gran intensidad de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet

Alto voltaje octal de ULN2803AFWG, transistor de gran intensidad de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet

Alto voltaje octal de ULN2803AFWG, transistor de gran intensidad de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet
Alto voltaje octal de ULN2803AFWG, transistor de gran intensidad de DarliCM GROUPon Transistor Arrays Power Mosfet
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial bipolar 18-SOP del arsenal 8 NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA 1.31W del transistor
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VCE (SUS):
−0.5~50 V
IOUT:
500 mA/ch
VIN:
−0.5~30 V
VR:
50 V
SI:
500 mA
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

ULN2803APG, ULN2803AFWG, ULN2804APG, ULN2804AFWG (manufacturado por Toshiba Malasia)

Las series de ULN2803APG/de AFWG son high−voltage, conductores high−current del darliCM GROUPon comprendidos de ocho pares del darliCM GROUPon de NPN. Todas las unidades ofrecen los diodos integrales de la abrazadera para cambiar cargas inductivas. Los usos incluyen conductores de la retransmisión, del martillo, de la lámpara y de la exhibición (LED). El (G) del sufijo añadido al número de parte representa un avance (Pb) - producto libre.

Características

►Corriente de salida 500 mA (de salida única) (máximo)

►Alta salida de mantenimiento del voltaje 50 V (mínimos)

►Diodos de la abrazadera de la salida

►Entradas compatibles con los diversos tipos de lógica.

►Paquete Type−APG: DIP−18pin

►Paquete Type−AFWG: SOL−18pin

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Característica Símbolo Grado Unidad
Voltaje de mantenimiento de la salida VCE (SUS) −0.5~50 V
Corriente de salida IOUT 500 mA/ch
Voltaje entrado VIN −0.5~30 V
Voltaje reverso del diodo de la abrazadera VR 50 V
Afiance el diodo con abrazadera adelante actual SI 500 mA
Temperatura de funcionamiento Topr −40~85 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg −55~150 °C

LISTA COMÚN

LT1181ACSW 9114 LT 14+ SOP-16
OB2263AP 10000 ON-BRIGHT 16+ INMERSIÓN
PAM8006ATR 10820 PAM 16+ QFN
LP62S16128BV-55LLT 743 AMIC 10+ TSSOP-44
82C250Y 1100 14+ SOP-8
MCP2200-I/SS 5152 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
LT1013DDR 8058 TI 16+ SOP-8
MC9S08AC16CFGE 4528 FREESCALE 16+ LQFP
MB6F 20000 TOSHIBA 16+ SMD
MAX5035DASA 5580 MÁXIMA 15+ COMPENSACIÓN
MCP1702T-5002E/MB 5080 MICROCHIP 16+ SOT-89
RM10TB-H 150 MITSUBISH 10+ MÓDULO
QCN-3+ 1000 MINI 15+ SMD
MC100EP196FAR2G 2204 EN 16+ QFP
XC1400P-03S 2000 ANAREN 14+ SMD
MC10EL07DR2G 2448 EN 16+ COMPENSACIÓN
MF-R050-0-99 30000 BOURNS 16+ INMERSIÓN
30554* 856 BOSCH 10+ QFP-64
MPC8260ACZUMIBB 590 FREESCALE 16+ BGA
LTC2954CTS8-2 6909 LINEAR 16+ BORRACHÍN
XC95288XL-7PQG208I 100 XILINX 15+ QFP208

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